模拟电子技术（一）半导体二极管和三极管

饥饿的半导体

已于 2022-09-23 19:20:09 修改

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分类专栏：模拟电子技术基础文章标签：学习

于 2022-09-05 00:02:39 首次发布

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半导体基础知识

半导体材料

导电性能介于导体与绝缘体之间的物质
常用材料：四价元素(硅Si、锗Ge)

分类	释义	导电性能
本征半导体	纯净的（无杂质）晶体结构的（结构稳定）半导体	导电性能差，难以控制
杂质半导体	N型半导体：掺入磷P(+5)多数载流子为自由电子（negative负电） P型半导体：掺入硼B(+3)多数载流子为“空穴”（positive正电）	导电性能可控

晶体结构：原子核的最外层电子形成共价键的稳定结构
空穴：共价键上的电子由于热运动离开而产生的
本征激发：当半导体的温度T>0K时，由于热运动，有电子自由，同时产生空穴的过程
复合：由于碰撞，自由电子填补了空穴，使两者同时消失

载流子（空穴、自由电子）浓度：与温度有关
温度对少数载流子影响大（即少子对温度更敏感），因为多数载流子已经足够多

PN结

在这里插入图片描述

扩散运动（多子的运动）：空穴P—>N 自由电子N—>P （浓度高—>浓度低）
空间电场的产生：靠近接触面载流子（空穴、自由电子）浓度都降低，两端载流子浓度高。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区
PN结：空间电荷区；耗尽层；阻挡层
漂移运动（电场作用产生的、少子的运动）：阻止扩散运动进行，使空穴N—>P 自由电子P—>N
PN结形成：参与“扩散运动”和“漂移运动”的载流子数目相同，达到动态平衡

在这里插入图片描述

PN结特性：正偏导通；反偏截止
- 正偏：加正向电压，正极接P，负极接N
PN结电流方程
PN结伏安特性
- 正向特性：死区；导通电压（与材料本身有关）
- 反向特性：反向饱和电流；反向击穿（很大电流变化范围内电压不变，可制成稳压二极管）
  - 反向击穿（参杂浓度不同，击穿类型不同）：
    1. 雪崩击穿：参杂浓度低，少数载流子加速。温度越高，所需击穿电压越高
    2. 齐纳击穿：参杂浓度高，拉出价电子。温度越高，所需击穿电压越低
分析
- 加正向电压：外电场削弱内电场（势垒降低）—扩散运动加剧—扩散电流—电流很大—导通
- 加反向电压：内外电场方向一致—漂移运动加剧—漂移电流—但为少数载流子运动，电流极小—近似认为截止

等效为电容：储存的电荷量随外加电压变化
PN结电容效应：空间电荷区的电荷积累和释放——类似电容充放电
- Cb势垒电容（加反向电压）：内外电场一致，空间电荷区宽度变厚
- Cd扩散电容（加正向电压）：非平衡少子分别分布在耗尽层两侧
结电容：Cj = Cb + Cd
若PN结外加电压频率高到一定程度，则是去单向导电性
结电容不是常量，和外部参数(外界电压)与内部结构(PN结截面积)有关
半导体导电性能与温度有关：分子热运动与温度有关
半导体器件的温度稳定性差：易受温度影响
少数载流子对温度稳定性影响大

半导体二极管

二极管结构

点接触型：结面积小——Cj小——允许通过电流小——最高工作频率高
面接触型：结面积大——Cj大——允许通过电流大——最高工作频率低
平面型：结面积可小可大（S小，工作频率高；S大，允许通过电流大）

伏安特性

伏安特性
二极管存在体电阻，所以电流比PN结小，而反向电流大
单向导电性——>可以整流（交流变直流）

在这里插入图片描述

电流方程
硅材料：开启电压≈0.5V；
导通电压0.5~0.8V；
反向饱和电流1μA以下
温度影响
T升高，正向左移，反向下移
室温下，每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV；
每升高10℃，反向电流增大一倍

温度升高，参与漂移运动的少数载流子数目增多，反向电流增大，击穿电压减小（更易被击穿）
二极管导通电压不是常量
二极管损坏：
正向（正向电流过大温升过高烧坏二极管）；
反向（反向电压过大破坏PN结结构）
温度升高：正向特性左移；反向特性下移

主要参数

最大整流电流IF：最大平均值
最大反向工作电压UR：最大瞬时值
反向电流IR：即IS
最高工作频率fM：因PN结有电容效应

PN结上有结电容，当频率f很小时，容抗很大，相当于电容断路。而当频率f增大时，容抗小，二极管短路，破坏了二极管的单向导电性，所以要有上限。

等效模型

直流等效（静态模型）
电压值不同时求解回路电流
将电压源电压（V）与二极管导通电压（UD=0.5~0.8V）进行比较
①若远远大于Uon，则 I ≈ V / R （忽略管压降）
②若较大于Uon，则 I = （V - UD）/ R （管压降不能忽略）
③若稍大于Uon，则 I 要通过实际测量伏安特性求解（误差最小）

交流等效（动态模型）
低频小信号作用
既有直流电源，又有交流电源，求解电流总量
①直流模型求直流电流（ID）
②直流模型中，将二极管等效为动态电阻（rd）
③直流电源短路，交流模型求交流电流（id）
④电流总量（iD） = 直流电流（ID） + 交流电流（id）

稳压二极管

很大电流变化范围内，电压变化不大

在这里插入图片描述

主要参数

参数	描述
稳定电压Uz	规定电流下的反向击穿电压
稳定点流Iz	稳压状态时的参考电流，即IZmin
额定功耗PZM	稳定电压与最大稳定电流的乘积
动态电阻rZ
温度系数α

在这里插入图片描述

稳压的实现需要限流电阻存在。
反向电流小于IZmin时不稳压，大于IZmax时会因超过额定功耗而损坏，所以引入限流电阻
（反向电压下）当电源电压上升时，稳压二极管两端电压有上升趋势，根据伏安特性曲线，当稳压管电压上升一点点，其电流都会大大上升，并且限流电阻的电流也会增大，限流电阻压降必然增大。限流电阻压降的增大，可以抵消电源电压的部分上升，使得稳压管两端仅用上升一点点电压就可以达到稳定的作用。

晶体三极管（BJT）

双极结型晶体管 Bipolar Junction Transistor (双极：两种载流子导电）

晶体管结构（以NPN为例）

三个极（emitter、base、collector）、三个区、两个PN结
箭头指向（P—>N）

电流放大（以NPN为例）

现象：Ic / Ib是一个固定值
放大实质：放大一定需要外部支持的电源，三极管仅起到一个控制作用，控制了电源的功率

基本放射放大电路
- Rb：限流电阻
- 内部放大条件：发射区参杂浓度高，基区薄且参杂浓度低，集电结面积大
- 放大条件：发射结正偏；集电结反偏
  （UBE > Uon；UCB ≥ 0 即 UCE ≥ UBE）
- 最左边回路，由VBB到地，基极电位高于发射极（P—>N），看作正偏
- VCC两节电池，VBB只有一节，所以集电极电位高于基极（N—>P），看作反偏

放大原理

晶体管内部载流子运动
- 发射结正偏：扩散运动加剧
- 集电结反偏：产生向下电场
电流形成
(注意：电流方向与电子运动方向相反，与空穴运动方向相同)

运动	详细描述	形成电流
扩散运动	发射区大量电子发生扩散	IEN
复合运动	基在基区内空穴与少部分电子复合	IBN
漂移运动	Vcc在CE间产生电场，瞬间收集发射区电子	ICN
空穴扩散	基区空穴扩散到发射区	IEP 很小，可忽略
平衡少子漂移运动	o—>open发射极开路，集电极的反向饱和电流i	ICBO
穿透电流	o—>open基极开路，Vcc作用下Ic依然存在，但值很小	ICEO

电流放大系数
根据 Ib、Ic 与 3个超大箭头列KCL（可忽略IEP）
共射，输入、输出回路共用发射极
共基，输入、输出回路共用基极
KCL：IE = IB + IC
IE = IEN + IEP = ICN + IBN + IEP
IB = IBN + IEP - ICBO ≈ IBN - ICBO (IEP很小，可忽略)
IC = ICN + ICBO
β = ICN / IBN = (IC - ICBO) / (IB + ICBO)
IC = βIB + (1 + β) ICBO = βIB + ICEO
交流放大系数 ≈ 直流放大系数

共射特性曲线

端口特性：电流与电压之间的关系

输入特性曲线——类似于PN结
- iB 受 Ube 变化而变化
- Uce右移，ce间电场增大，集电极猛吸电子
- 同Ube下，Uce越大，集电区吸的电子越多，去基区复合的电子变少，IBN下降，iB减小
- Ube再增大，Uce不变，因为电子吸完了
输出特性曲线——三个工作区域
工作区域的判断：
①得到各个极的电位
②比较各个极之间的点位高低
③判断正偏？反偏？
④判断工作区域

工作区域	特征	表现
放大区	发射结正偏；集电结反偏	iC = β iB
截止区	发射结电压小于Uon；集电结反偏（类似双结反偏）	IB = 0 iC ≈ 0 iC ≤ iCEO
饱和区	发射结正偏；uCE很小可看作集电结正偏（类似双结正偏）	β IB＞ iCmax （由外电路规定的iC最大值）
临界饱和点	UCE=UBE	C、B间电压为0，UCB=0

主要参数

直流参数：
共射直流电流放大系数
共基直流电流放大系数
极间反向电流 ICBO、ICEO（一般选用此值尽量小的管子）
交流参数
共射交流电流放大系数
共基交流电流放大系数
特征频率 fT
极限参数 为使晶体管安全工作而对其的限制
最大集电极耗散功率 PCM = iC * uCE = 常数
最大集电极电流 ICN
极间反向击穿电压

温度影响

温度影响	描述
对 ICBO	T每升高10℃，ICBO增加一倍
对输入特性类似PN结	T每升高1℃，uBE下降2~2.5mV 即Ube不变时，T升高，iB增大
对输出特性	T升高，β增大

场效应管（FET）

绝缘栅型场效应管（MOS）

四种类型：N/P沟道增强型管、N/P沟道耗尽型管

N沟道增强型MOS管

结构：三个极（s、g、d）、栅极g绝缘
B箭头指的是由P—>N
工作原理：Uds = 0；Ugs > 0
形成的电场排斥P中空穴，吸引P中电子
电子连接两个N型半导体，形成N沟道
ds间形成可用电压控制的可变电阻器
沟道宽度受Ugs大小影响
沟道宽度又决定电阻大小
沟道类似ds间的电阻，则增加Uds，就能使ds间产生电流(iD)
Ugs > Ugs(th) 沟道形成，保持Ugs不变，令Uds > 0
此时反型层（沟道）的厚度取决于UGS和ds两点电位
左边厚度Ugs-Us，右边Ugs-Ud，因为d点比s点电位高（高一个Uds），所以右边薄
特性曲线
- 预夹断
  随着Uds不断加大，Ugs-Uds=Ugs(th) 如上图（b）
  预夹断，电子通过的少，iD近似为恒流
- 可变电阻区
  Ugs大，沟道宽，电阻就小，可变电阻区斜率大（即同Uds下，Ugs大的，电流大）
- 恒流区
  Ugs控制 iD，因为每一个Ugs对应一个确定的 iD
转移特性曲线：Ugs 与 iD的关系
前提条件是“恒流区”，即要保证Uds足够大

N沟道耗尽型MOS管

自身带沟道
绝缘层处参入大量正离子，即使Ugs = 0，使MOS管本身带有沟道
Ugs > 0时，沟道变宽，电阻变小，iD增大
Ugs<0时，沟道变窄，电阻变大，iD减小
夹断电压 Ugs(off)
Ugs从0减小到一定值时，沟道夹断(反型层消失)，iD=0，此时的Ugs为夹断电压Ugs(off)

耗尽型MOS管，Ugs可以正，可以负。
而结型场效应管不能工作在Ugs > 0的情况下。
这是二者最大不同

结型场效应管（JFET）

两种类型：N沟道、P沟道（下图为N沟道管实际结构图）
利用PN结形成夹断，所以称结型

N沟道结型场效应管

工作原理：Uds = 0；Ugs < 0
加反向电压，PN结反偏，耗尽层变宽(阴影部分)，N型沟道变窄
为使N沟道结型场效应管正常工作，其Ugs必须小于0，大于0，则PN结导通，已不能作为结型场效应管使用了
特性曲线

在这里插入图片描述

主要参数

直流参数
开启电压UGS(th)
夹断电压UGS(off)
饱和漏极电流 IDSS
直流输入电阻RGS(DC)
交流参数
低频跨导gm
极间电容
极限参数
最大漏极电流 IDM
击穿电压
最大耗散功率PDM

场效应管 VS 晶体管

功能	场效应管	晶体管	结果
工作方式	UGS控制 iD 栅极基本不取电流	工作时基极需要输入电流	输入电阻高的电路可选用场效应管信号源可以提供一定的电流时可选用晶体管
参与导电	只有多子	多子和少子(受温度、辐射等影响大)	场效应管的温度稳定性好、抗辐射能力强
噪声系数	很小		场效应管应用于低噪声放大器的输入级、高要求信噪比电路
互换极	s、d可互换	e、c特殊需要才互换	晶体管互换后特性差异很大，倒置状态应用于集成逻辑电路中
种类	多		组成电路时场效应管比晶体管能灵活
优点	工艺简单、耗电省、工作电源电压范围宽		场效应越来越多地应用于大规模和超大规模集成电路中