平衡态半导体导带、价带中载流子浓度的峰值位置

最新推荐文章于 2024-05-31 09:55:17 发布

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分类专栏：半导体文章标签：硬件工程

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对于给定的能带结构和 $E_{\rm F}$ ，求出载流子浓度峰值位置

载流子浓度随能量的分布（以电子为例）：

$n(E)=g(E)f_{\rm Fermi}(E)=\frac{(2m_{\rm e})^{3/2}}{2\pi^2\hbar^3}\sqrt{E-E_{\rm C}}\cdot\frac{1}{1+e^{\frac{E-E_{\rm F}}{kT}}}$

仅需求出极值点 $E^*\ s.t.\ \cfrac{{\rm d}n}{{\rm d}E}\bigg|_{E^*}=0$ 和对应的极值 $n_{\rm max}=n(E^*)$ 。

方便起见考虑函数 $f(x)=\cfrac{\sqrt{x}}{1+e^{x-a}}$ ，其中 $a=\cfrac{E_{\rm F}-E_{\rm C}}{kT}$ 为参数，归一化的能量 $x=\cfrac{E-E_{\rm C}}{kT}$ ：

$f'(x)=\frac{e^{x-a}(1-2x)+1}{2\sqrt{x}(1+e^{x-a})^2}$

使用 $kT=26\ {\rm meV}$ ，对于Si的能带结构，可算出

$E_{\rm C}-E_{\rm F}\ {\rm(eV)}$	$a$	$x^*$
0.5	-19.2	0.500
0.4	-15.4	0.500
0.3	-11.5	0.500
0.2	-7.69	0.500
0.1	-3.85	0.506
0.78 $\ \approx3kT$	-3.00	0.515
0.52 $\ \approx2kT$	-2.00	0.540
0.26 $\ \approx kT$	-1.00	0.601
0	0	0.739

所以，在 $E_{\rm C}-E_{\rm F}\gg3kT$ 的非简并的掺杂范围内，Si的电子浓度峰值位于导带以上约 $kT/2=13\ {\rm meV}$ 处。 $E_{\rm C}$ 接近 $E_{\rm F}$ 时已经是简并掺杂，载流子的统计不再符合费米-狄拉克分布 $f_{\rm Fermi}$ 。