先进半导体材料与器件Chapter1

Chapter1 先进半导体材料及器件基础

作者： Saint
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一．半导体材料基本知识

1. 基本分类
2. 晶体结构
3. 能带结构
4. 施主与受主能级

§1 半导体材料的分类

功能： 微电子、光电、热电、磁电、微波半导体
化学组成： 元素、化合物和有机半导体
发展历史：第一代（Ge、Si）、第二代（GaAs、GeSi、InP）和第三代半导体也称为宽禁带半导体（GaN、SiC、ZnO）。

§2 晶体结构

金刚石结构（ diamond）：金刚石、Ge、Si
闪锌矿结构（zincblende）： III-V化合物 GaAs、InP、InSb和II-VI化合物CdTe、HgTe、CdSe等
纤锌矿结构（Wurtzite）：III-V化合物 GaN、AlN和II-VI化合物CdS、ZnS、ZnO等

金刚石晶格结构：由两个相同原子构成的面心立方晶体，沿立方的体对角线1/4
长度套构而成。金刚石结构的配位数为4。

闪锌矿结构：由两个不同原子构成的面心立方，沿立方的体对角线1/4长度
套构而成。四面体中心的原子与顶角的原子相异。

纤锌矿结构：纤锌矿结构属于六分晶系。纤锌矿结构的原胞包含了四个原子。

混合半导体的晶格常数
连续固溶体-赝晶、确定的能带结构-随合金组分变化而连续改变。

Vegard‘s Law

AxB1-xC型的混合半导体晶格常数：
AxB1-xCyD1-y型的混合半导体晶格常数：
化合物半导体中化学键和极性
常见的半导体（Si、Ge）通常以共价键结合为基础，但在化合物（III-V、II-VI）中常常含有不同程度的离子结合成分，他们是混合键结合。
在共价性化合物晶体中，结合的性质具有不同程度的离子性，常称这类半导体为极性半导体