pn结是半导体物理和半导体器件的桥梁，是现代电子产业的基石。在学习pn结知识
时，最好多联系显示应用和器件物理，对pn结有一个直观、全面、深入、立体的认识。
七、P-N结（P-N Junction）
VD：接触电势差/自建电势差
qVD：势垒高度
qφs：表面势（表面能带弯曲程度）
qφf：费米势（费米能级和禁带中线的距离）
7.1 平衡pn结
7.1.1 平衡pn结电流
pn结形成过程：载流子浓度梯度引起扩散，破坏了电中性。引起自建电场，自建电场引起漂移电流。漂移电流和扩散电流达到动态平衡，使pn的净电流为零，变成热平衡pn结。
对于平衡pn结，电子和空穴流均为0
载流子浓度大的地方，EF随位置变化小，而载流子浓小的地方，EF随位置变化大
7.1.2 pn结的接触电势差（以p+n结为例）
变化后的导带底 Ec(x)=Ec0+(-q)V(x)
导带底的变化=平衡前导带底能量+一个电子的寄生电势能
7.1.3 pn结载流子分布
在学习前五六章知识后，我们已具备一定的公式推导能力。因此在本章写载流子分布方程时，不再推导，直接写结果。不熟悉的方程的推导请一定动笔试一试。
可以得到：
随着坐标的变化，电子浓度是平衡p区电子浓度的一个增长函数，随e的指数增长
空穴浓度是平衡p区空穴浓度的一个e指数衰减函数。
qV（x）：随坐标轴x变化，势垒高度变化量
在势垒区，载流子浓度很小，电导率很小，电阻率很大。因此结区电阻很大，我们认为无论是自建电场还是外加电场，电势都降落在势垒区。
当然也可以用n区平衡电子空穴浓度来表示：
耗尽层近似：势垒区中载流子浓度可以忽略。空间电荷密度就等于电离杂质浓度
7.2 pn结电流电压特性
本节需要多次用到泊松方程和电中性方程。在简化计算时，我们进行多种近似：耗尽层近似、轻掺杂忽略
7.2.1 p-n结中的电场和电势分布
以突变p+ n结为例分析电场
近似认为，耗尽层不存在电子和空穴。
参组越大，电场随坐标轴x变化越快
p、n区的电场与掺杂浓度相关。掺杂越大，边界长度越小。（耗尽区主要在轻掺杂区的一边）
电势
电势分布拟合抛物线，在边界处达到极值。在边界处以外将不再按照抛物线趋势，而是变成了直线。电势是连续的，在x=0位置即接触面电势为连续的。
势垒宽度XD=xp+xn
从上述式子可以看出：势垒宽度和少子浓度有关。在掺杂相差很大的情况下，势垒区宽度约等于少子一侧的宽度。
以线性缓变结为例（推导方式与突变结相似）
有区别的是，电场分布是抛物线关系，而电势分布是成三次方关系。
7.2.2 非平衡pn结的能带图
正向偏压下的pn结：
—— 我们把正向偏压下的pn结准费米能级能带图叫做：正平行四边形
—— 外加电压全部降落在空间电荷区，削弱了内建电场，降低了势垒，减少了势垒宽度
—— 空间电荷区不考虑载流子的产生和复合
—— N→P区一部分电子由于电场削弱不能把他们拉回来，这些电子会注入到p区成为少子边扩散
边复合
—— 空间电荷区很窄，非平衡载流子很少，忽略费米能级在势垒区的变化，用一条直线近似贯穿
—— 势垒高度的减少量=准费米能级的能量差
—— 电子/空穴扩散电流在与多子复合过程中会转化成漂移流
反向偏压的pn结
由于反向偏压下pn结的方程与正向偏压类似，为了节省编写时间，在此放上作者的笔记供大家参考借鉴
7.2.3 理想p-n结J-V关系的特性
肖克利方程和电流饱和密度
-Js：反向饱和电流密度（单向导电/整流效应）
pn结的J-V关系强烈依赖于温度，在反向偏置情况中中会生热。温度和饱和电流密度属于正反馈。Js正比于ni正比于T的1.5次方，因此pn结容易把自己击穿（热电击穿）
在此扩充pn结J-V曲线的特性（半导体/光电子器件）：
1. 增加温度，电流饱和系数增加，反向饱和电流增加，正向导通电压减小
2. 增加掺杂浓度，反向电压区域的击穿电压不断向右移。只需要很小的反向电压就能
击穿（雪崩和齐纳都是）。
7.2.4 理想p-n结J-V关系的修正
可能因素：表面效应、势垒区载流子的产生和复合、大注入条件、串联电阻
Ⅰ、正向偏压复合电流
在低正向偏压下e指数项迅速减小：复合电流占主导地位 m=2
在高正向偏压下e指数项迅速增大：复合电流占主导地位 m=1
Ⅱ、大注入情况
这就是大注人情况下，pn结的电流电压关系。它的特点是J正比于exp [qV/2kT)]，这是一部分正向电压降落在空穴扩散区的结果。（体电阻不可忽略）
综上考虑：
正向偏压：
电压小：m=2。 J正比于exp [qV/2kT)]，势垒区的复合电流起主要作用
电压大：m=1。 J正比于exp [qV/kT)]，扩散电流起主要作用
大注入：m=2。J正比于exp [qV/2kT)]，考虑体电阻，降落在势垒区的压降小了，正向电流增加啊缓慢。
7.3 pn结电容
势垒电容：由于外加电压dv变化，引起势垒区宽度变化，导致势垒区电荷量变化。近似于平行板电容器
扩散电容：由于少子注入引起dv变化，导致扩散区电荷量变化。两个扩散区的扩散电容是并联关系，它们共同相应同一个dv。
7.3.1 势垒电容
突变结：
耗尽层宽度
等效平行板电容器：
NB是轻掺杂浓度
可以看出：
①突变结的势垒电容和结的面积以及轻掺杂一边的杂质浓度的平方根成正比，因此减小结面积以及降低轻掺杂一边的杂质浓度是减小结电容的途径
②突变结势垒电容和电压(Vp-V)的平方根成反比，反向偏压越大，则势垒电容越小，若外加电压随时间变化，则势垒电容也随时间而变
对于反向偏压，耗尽层近似适用，但是正向偏压下不适用。需要用以下公式近似计算：
线性缓变结：
①线性缓变结的势垒电容和结面积及杂质浓度梯度的立方根成正比，因此减小结面积和降低杂质
浓度梯度有利于减小势垒电容
②线性缓变结的势垒电容和(Vp-V)的立方根成反比，增大反向电压，电容将减小。对于线性缓变
结同样得到与平行板电容器一样的公式
由此可见，不论杂质分布如何，在耗尽层近似下，pn结在一定反向电压下的微分电容，都可以等效为一个平行板电容器的电容。
7.3.2 扩散电容
在大注入情况下，以扩散电容为主
7.4 pn结击穿
7.4.1 雪崩击穿
一个载流子漂移单位距离内产生电子-空穴对的数目：
雪崩临界击穿条件（在边界处正好可以产生电子空穴对）：
——击穿电压Vbr是正温度系数，温度越高，反向击穿电压越大
——轻掺杂易发生雪崩击穿
7.4.2 齐纳（隧道）击穿
以禁带三角为例，数形结合分析方程
——从空间上看是击穿，能量上看是爬坡
——Eg越小，▲x越窄越低，隧穿几率越大（量子效应）
——负温度系数，温度越大，反向击穿电压越小
7.5 隧道效应
由重掺杂的p区和n区形成的pn结通常称为隧道结，这种隧道结制成的隧道二极管。
又名Esaki二极管。
1. 加一很小的正向电压V，产生p区向n区的正向隧道电流（重叠部分不断增大，隧道电流增大）
2. 继续增大正向电压，势垒高度不断下降，有更多的电子从n区穿过隧道到p区的空量子态，使隧道电流不断增大，达到峰值（最大重叠，隧道电流最大）
3. 增大正向电压，势垒高度降低，在结两边能量相同的量子态减少，使n区导带中可能穿过隧道的电子数以及p区价带中可能接受穿过隧道的电子的空量子态均减少（重叠减少，隧道电流减小）
4. 正向偏压增大到V,时，n区导带底和p区价带顶一样高，这时p区价带和n区导带中没有能量相同的量子态，因此不能发生隧道穿通，隧道电流应该减少到零，有一个很小的谷值电流。
5. 返现电压很小，势垒高度太高，隧道更窄。因此只需要变化很小的电压就会产生很大的隧道电流
6. 在正向电压很大时，扩散电流占主导
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