STM32的QSPI在dual-flash双闪存模式下读写寄存器描述,译自H743参考手册

原文

 主要部分GPT翻译:

  在双闪存模式下读取闪存存储器状态寄存器时，需要读取的字节数是单闪存模式下的两倍。这意味着，如果每个闪存存储器在提取状态寄存器指令后提供了 8 个有效位，那么 QUADSPI 必须配置为 2 字节（16 位）的数据长度，并且 QUADSPI 从每个闪存存储器接收一个字节。如果每个闪存存储器提供了 16 位的状态，则 QUADSPI 必须配置为读取 4 字节才能获取双闪存模式下两个闪存存储器的所有状态位。结果寄存器（数据寄存器）的最低字节是闪存 1 状态寄存器的最低字节，接着的字节是闪存 2 状态寄存器的最低字节。然后，数据寄存器的第三个字节是闪存 1 的第二个字节，而第四个字节是闪存 2 的第二个字节（假设闪存存储器具有 16 位状态寄存器）。 

  双闪存模式下必须始终访问偶数个字节。因此，在DFM = 1时，数据长度位字段的最低位（QUADSPI_DLR[0]）被固定为1。 在双闪存模式下，FLASH 1 接口信号的行为基本与正常模式相同。而FLASH 2 接口信号在指令、地址、交替字节和虚拟周期阶段的波形与FLASH 1 完全相同。换句话说，每个闪存存储器始终接收相同的指令和相同的地址。然后，在数据阶段期间，BK1_IOx 和 BK2_IOx 总线都同时并行传输数据，但发送到（或接收自）FLASH 1 的数据与 FLASH 2 的数据是不同的。