彻底拿下QSPI双闪存W25Q256| STM32H750| QSPI 双FLASH |cubeIDE |下载算法（一）

国企摸鱼程序猿

已于 2022-10-08 10:37:12 修改

阅读量3.8k

点赞数 2

分类专栏：笔记文章标签： stm32 单片机

于 2022-10-07 11:33:09 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_43166744/article/details/127192443

版权

笔记专栏收录该内容

10 篇文章 2 订阅

订阅专栏

Part1开发平台

野火STM32H750Pro开发板，QSPI双片W25Q256，原理图如下
在这里插入图片描述
参考资料：百度搜索datasheet5，进入该网站搜芯片型号W25Q256即可获取PDF。简要说明一下就是单个W25Q256使用按页（256字节一页）编程写入，按扇区（4KB）、块（64KB或32KB）、或整片来进行擦除。

Part2 搭建工程

首先按照这篇博客中的方法搭建工程：

(66条消息) stm32cubemx无法生成工程_工程师笔记 | 通过 STM32CubeMX制作外部Flash的烧写驱动 (.stdlr)…_瓷tun的博客-CSDN博客

这里我的工程结构与该文章保持一致，但是由于用的开发板和博主的不一样，FLASH芯片、模式也不一样，因此驱动那一块我还是按照开发板的例程来移植，不过main函数的执行流程还是可以借鉴的。

QSPI驱动可自行移步野火官方资料下载中心获取。

Part3 调试过程中出现的问题——FLASH读写失败

第一次测试，main函数代码执行步骤为：

1.数组编号 0~FF的循环

2.擦除块，并写入

3.配置为直接映射

4.打开Memory监测

监测结果如下，0x90000000~0x900001FF 数据写入失败仍然为FF
在这里插入图片描述
之后的数据只有一片FLASH操作成功。

第二次测试，修改代码为：

1.擦除6块

2.配置为直接映射，打开Memory监测

其中块大小为0x10000，理论上0x90060000之后应该为非擦除状态

但是反而0x90060000之前的未擦掉，之后的擦掉了，也就是说FLASH的写入和擦除都未能成功
在这里插入图片描述
异常数据似乎没有规律

第三次测试：使用整片擦除代替上面的6块擦除，发现根本没有擦掉。而且整片擦除函数执行很快，明显不符合实际。

检查了一下cubeMX配置的工程，发现引脚有的是高速，有的是低速，修改好之后发现还是不行。

第四次测试:直接将工程修改为单个FLASH的模式，发现整片擦除不成功，只能块擦除，查看FLASH的3个寄存器，发现在reg1中BP3 BP2 BP1 BP0为0001，也就是说使能了某种保护机制，FLASH中有一小段无法被改动。抱着试一试的想法，向寄存器reg1写入全0之后，整片擦除函数得以运行。因此怀疑前三次FLASH的操作失败是由于两片FLASH均受到了保护机制影响。

第五次测试：将工程改回双FLASH模式，读取寄存器，发现两片FLASH reg1 为0x06fe 。也就是FLASH1 的 BP3 BP2 BP1 BP0为0001（不知道为啥，第四次明明改成全0了，现在又恢复了）; FLASH2的 SRP TB BP 3 BP 2 BP 1 BP 0 WEL BUSY分别为11111110，也就是说除了BUSY为0其他全是1。根据W25Q256芯片手册，FLASH2处于硬件WP引脚有效的状态，即当WP引脚为高电平时，才能对寄存器进行改写，以及设置写使能，并且保护范围是整片。尝试了一下写全0，发现只有FLASH1可以改写寄存器，果然FLASH2还是受到WP引脚影响啊。

尝试了在初始化的时候将WP引脚设置成上拉，发现没有用。直接取消GPIO初始化复用QSPI引脚，初始化为普通输出IO，然后在写寄存器为全0之前，使用 HAL_GPIO_WritePin 将该引脚拉高，结果OK，寄存器被成功改写。成功解决。

再次测试写64MB数据，结果又失败了…重新Debug发现FLASH1的局部保护又被打开了。总结前面几次得到一个结论：如果操作不当，或者代码调试还有问题，那么有可能会触发芯片的保护机制，调试过程中难免的

调整宏定义大小:

#define W25Q256JV_FLASH_SIZE                  0x4000000 /* 双片 64MB  */
#define W25Q256JV_BLOCK_SIZE                  0x20000	/*单片64KBytes  256页为1个block，两片则为128KB*/
#define W25Q256JV_BLOCK_COUNT				  512		/* 512 个block */
#define W25Q256JV_SECTOR_SIZE                 0x2000   /* 4KBytes  *2*/
#define W25Q256JV_PAGE_SIZE                   0x200     /* 1页256*2字节 */

最终在单步调试的情况下得以解决
但是全速运行会出现有些Block只有一片FLASH成功，猜测应该是等待FLASH操作完成的判断写得不对，修改等待代码

void QSPI_FLASH_Wait_Busy(void)
{
	uint32_t _reg;
	while(1){
		_reg = QSPI_FLASH_ReadStatusReg(1);
		if((_reg & 0x0101)==0) break;
	}
}

将等待插入到FLASH操作之前，最终解决。

最后检查一下边界，即最多可以读写多少字节。

发现0x90000000~0x93FFFFFF 共64MB空间读写没问题。
在这里插入图片描述

Part4 main代码

int main(void)
{
  HAL_Init();
  SystemClock_Config();
  MX_GPIO_Init();
  MX_QUADSPI_Init();
  /* USER CODE BEGIN 2 */
  uint8_t buffer_test[0x10000] = {0};/*按半个block来定义数组大小，否则占用内存太大，引起无法调试*/
  uint8_t readbuf[128] = {0};
  uint32_t var = 0;
  BSP_QSPI_Init();
  uint32_t reg[3] = {0};
//  HAL_GPIO_WritePin(GPIOG, GPIO_PIN_9, 1);
  QSPI_FLASH_WriteStatusReg(1,0);
  reg[0] =  QSPI_FLASH_ReadStatusReg(1);
  reg[1] = QSPI_FLASH_ReadStatusReg(2);
  reg[2] = QSPI_FLASH_ReadStatusReg(3);
  var = QSPI_FLASH_ReadDeviceID();//读ID试试
  var = QSPI_FLASH_ReadID();
  BSP_QSPI_Read(readbuf,0,128);
  //初始化数组为
  for (var = 0; var < 0x10000; var++) {
    buffer_test[var] = (var & 0xff);
  }
  for (var = 0; var < W25Q256JV_BLOCK_COUNT; var++) {
	//扇区擦除
	BSP_QSPI_Erase_Block64(var * W25Q256JV_BLOCK_SIZE);
	QSPI_FLASH_Wait_Busy();
	//扇区写入
	BSP_QSPI_Write(buffer_test,var * W25Q256JV_BLOCK_SIZE,0x10000);//先写半个block
	QSPI_FLASH_Wait_Busy();
	BSP_QSPI_Write(buffer_test,var * W25Q256JV_BLOCK_SIZE + 0x10000,0x10000);//再写半个block
	QSPI_FLASH_Wait_Busy();
  }

  if (QSPI_EnableMemoryMappedMode() != QSPI_OK) {
    while (1){
	}
  }

    //比较内容
  for (var = 0; var < W25Q256JV_BLOCK_COUNT; var++) {
	if (memcmp(buffer_test,(uint8_t*) (0x90000000 + var * W25Q256JV_SECTOR_SIZE),
			W25Q256JV_SECTOR_SIZE) != HAL_OK) {
		while (1);

	}
  }
  /* USER CODE END 2 */
  while (1)
  {
  }
}