有用参考
模拟IC设计中的软件操作:Cadence Virtuoso Layout 版图绘制的使用技巧及其相关快捷键# 有关RFDMY层
RFDMY,我觉得就是RF-dummy层,这么看对PMOS来说区域是和最外圈的NW重合的。
这里调用的是没有DNW的器件,在面积上会节省很多。
有关自动打环和连线
好像RF器件没有不自动打环连线的,沉思
走大电流的线
大电流走线要宽线(泪目
打pin与label
连线的高亮
和器件一样在原理图中选中就会高亮
另一种看器件的位置的方式
可以根据版图/原理图更新原理图/版图的器件参数
吸附边缘-快捷键G,进行切换,层次少的时候比较方便,层次多了可能乱吸
高亮选中元素所有相关的连接关系
一些快捷键
多层通孔
查看连线关系高亮
暂时透明组合
这样选中了之后组合内部的东西就可以选中了,组合逻辑保留,但是暂时可以选中
事先规定好金属层的走向
比如奇数走竖向,偶数走横向
排布 共质心 走线相对复杂,但是对称性更好
中间四个管子
AB
BA
整齐排列可以采用阵列复制
高亮相互连接的线-原理图
通孔数目
至少俩,多个容错率会高一点,就算一个坏了别的也可以连上
guard ring 当电源线不是特别好?
连线长的时候金属线宽度选宽一点,这样减少寄生阻抗,走的电流大的时候也考虑选宽一点,这样防止有压降的存在
觉得自己连完了可以开一下高亮未完成连接的线的操作,看看有没有还没完成连线的高亮的线
pmos如果都在一个衬底里面可以直接用一个NWELL包围
包裹通孔的范围的金属要超过via边缘0.12
guard ring的部分解释
参考视频:
https://www.bilibili.com/video/BV17t4y1N7nK/?spm_id_from=333.788&vd_source=163f2c01677a1f39949ac9f63aa22bb7
可以认为是和衬底单独引出的:
- NMOS的 PWELL 里面的P+
- PMOS的 NWELL 里面的N+