Cadence器件版图入门第一讲
本人学生一枚,项目经验有限,该教程适合于初学者(服务于第一次接触版图,为了完成课程设计,为了第一次流片等这样的群体)入门使用,有多年画图经验的,请绕道而行哦。
上面这种图或许你觉得亲切,但这都属于电路级的原理图与版图,器件是别人设计好的,你能改变的就是器件的宽长比什么的,你改变不了器件的击穿电压等器件级别的特性,但是很多电路所需要的器件不是一般的器件,是需要我们器件工作者自己设计的。
不同于电路级的版图,器件的版图更为基础,电路的版图需要调用我们仿真(一般是工艺仿真)设计好的元器件,从而进行设计,比如IC设计者的放大器就需要我们设计的MOS供他们调用。在讲版图绘制之前,希望一定要把我上一期讲的器件工艺流程看一下,版图与工艺是紧密结合的。仿真确定的尺寸就是版图制作的依据,而fab(晶圆厂)的掩膜版正是依据fabless(研发团队)提供的版图来制作的。当然在绘制版图之前,要与fab做好沟通,了解流片的工艺平台与流程,其次也要fab提供设计规则的手册(design ruler),以供后续DRC和LVS检查,确保流片的成功,提高良率。所谓的设计规则有很多条,举个例子,比如你在仿真中可以任意规定两个离子注入区域的距离,但由于实际工艺的精度问题,比如一个N+和一个P+区,距离往往有一个最小值的要求,你在进行结构设计的时候就要特别注意这一点,不然你的仿真结构只是活在仿真的世界,难以转化为实际的产品。对于依据流片出的结构需要大量分片,分区域测试,并通过sentaurus等软件进行校准,以进行后续进一步的分析研究。有时候仿真的浓度与实际流片出来的浓度可能存在差异,所以仿真的研究一定要基于测试结果校准以后的结构进行研究,不要做没有意义的理论研究。仿真,测试,版图,工艺是相辅相成,密不可分的,切不可闭门造车,只“钻研”于理论或仿真,忽视版图与工艺。
如果需要cadence软件的,我打包一下后面发,看看你们需不需要,需要私信我,我再打包百度云分享。(我的就是百度找的,你们应该也能找到,版本是REDHAT5)
num1 软件的进入,库与版图文件的建立
进入桌面后右击open terminal,输入cd /home/Chris/Project进入Project文件夹(因为我的工程保存在了该路径下),回车,或者直接进入Project文件夹open terminal。
跳出的窗口选tools---library manager。
新建一个library。
给library起名。
这个窗口用来选择需要的技术文件,一般选择 Attach to an existing techfile,选中后点击 OK。
选中一个已建的库,如上面建立的 teaddy 库,然后选择 File---New---Cell View。
新建一个LDMOS1的版图文件,tool一定要选Virtuoso。
双击打开layout版图文件即可进行版图绘制。
num2 版图中快捷键介绍
快捷键较多,自己练习练习,我这没讲到的可以自行查找手册。
单击左键选中一个图形(如果是两个图形交叠的话,单击左键选中其中一个图形,再单击选中另一个图形),用左键框选,选中一片图形,某个图形要被完全包围才会被选中。
右键点击拖放用来放大。放大后经常配合 F 键使用,恢复到全部显示。配合 Tab键使用,平移视图。右键还有“Strokes”,就是点住右键画些图线,就能实现调用某些命令。
按shift不放单击可以连续选中多个目标(相当于windows里的ctrl),即Shift+左键加选图形,Ctrl+左键减选图形。
Shift+Z 缩小图形(2倍),Ctrl+Z放大图形(2倍)。
Ctrl+F 显示上层等级 Hierarchy
Shift+F 显示所有等级。
F 键,满工作区显示,就是显示你所画的所有图形(放大之后还原必用此键)。
I 键 调用模块(Instance)。
K 键 标尺工具,Ruler。
Shift+K 清除所有标尺。
M 键 移动,点选 Move 工具后,选中要移动的图形,然后在屏幕上任意一处单击一下,这个就是确定移动的参考点,然后就可以自由移动了。这个也可以通过鼠标先选中一个图形,移动鼠标当鼠标箭头变成十字方向的时候就可以拖动来实现。
Q 键 图形对象属性,这个实用。经常用来更改图形属性,也是选中一个图形先。
R 键 矩形工具。
S 键 拉伸工具,先选中拉伸目标的一条边,再按 S 键。
U 键 撤销 Undo,好像只能撤一步,呜呜。
Shift+U 重复 Redo。撤销命令后,再反悔。
Delete 键 删除。
方向键 移动视图。
Esc 取消某个命令。
F1 显示帮助窗口。
F2 保存。
F3 这个快捷键很有用,是控制在选取相应工具后是否显示相应属性对话框的。比如在选取 Path 工具后,想控制 Path 的走向,可以按 F3 调出对话框进行设置;或者调用图形时,选择旋转角度。
Ctrl+A 全选,这个和 windows 下是一样的。
Shift+B Return,这个牵扯到“Hierarchy”,翻译成“等级”。这个命令就是等级升一级,升到上一级视图。
Shift+X 下降一等级。
C 键 复制,复制某个图形。
Shift+C 裁切(Chop),首先选中要裁切的图形,调用命令,后画矩形裁切。
F4 英文是 Toggle Partial Select,就是用来控制是否可以部分选择一个图形。
F5 打开。
F8 Guided Path Create 切换至 L90XYFirst。
F9 是 Filter Size
B 键 去某一级(Go to Level)。
Ctrl+C 中断某个命令,不常用,一般多按几次 Esc 键取消某个命令。
Ctrl +D 取消选择。这个也可用鼠标点击空白区域实现。这个快捷键和 Photoshop中的取消选区的快捷键是一样的。还有 Shift+D,和 D 也是取消选择
Shift+E 和 和 E 是控制用户预设的一些选项。
G 键 这个快捷键是开关引力(Gravity)的。Gravity 我觉得和 AutoCAD 里的吸附Snap 差不多,就是会吸附到某些节点上去。有时候这个 Gravity 是很讨厌的,总是乱吸附,这时可以点击 G 键关闭 Gravity,操作完成后再打开。
L键 标签工具。Label。标签要加在特定的 text 层上,这个有些人总忘记。
Shift+M 合并工具,Merge。
Ctrl+N, Shift+N 和 N控制走向的,Ctrl+N 先横后竖,L90XFirst;Shift+N 直角正交,Orthogonal;
N 键 斜 45 对角+正交,Diagonal。
Shift+O 旋转工具,Rotate。
O 键 插入接触孔,Create Contact。
Ctrl+P 插入引脚,Pin。
Shift+P 多边形工具,Polygon。
P 键 插入 Path,我翻译成“路径”,有人翻译成“管道”。这些最后都要 Convert to Polygon 的。
Shift+Q 打开设计属性对话框,选中一个图形先。
Ctrl+R 是 Redraw 重画。
Shift+R 是 Reshape 重定形,就是在原来的图形上再补上一块图形。
Ctrl+S 是 Split,我翻译成“添加拐点”,就是配合 Stretch 命令可以是原来直的 Path打弯。
Shift+W 下一个视图,Next View。
W 键 前一视图,Previous View。
Ctrl+X 适合编辑,Fit Edit,感觉和 F 差不多。下一个错别字
X 键 (Edit in Place),在 Hierarchy 菜单下。
Ctrl+Y 叫 Cycle Select 试了下没成功。
Shift+Y 粘贴 Paste,配合 Yank 使用。
Y 键 区域复制 Yank,和 Copy 是有区别的,Copy 只能复制完整图形对象。
Z 键 视图放大。
Tab 键 平移视图 Pan,按 Tab,用鼠标点击视图区中某点,视图就会移至以该点为中心。
Enter 键 确定一个图形的最后一点,也可双击鼠标左键结束。
BackSpace 键 撤销上一点,这个很有用,就不用因为 Path 一点画错而删除重画,可以撤销上一点。
Ctrl+ 方向键 移动 Cell。
Shift+ 方向键 移动鼠标,每次半个格点的距离。
更多快捷键还请自行查看手册哦。
num3 导入配色文件
配色文件的导入方法:
一定要把drf放到你知道的位置,不然容易找不到配色文件。
在这里页面还可以自己配制配色文件,配出你专有的drf文件,配置完记得保存哦。
fill color是内部填充颜色,outline color是边框颜色,stripple是内部填充样式......
num4 图层的选择
AV(All Valid):显示所有图层,NV(None Valid):只显示选中图层。在LSW选完后在版图内上下左右移动一下版图才跟着变哦。
LSW显示的表示的是默认选择的图层,但有些图层是我们不需要的或者我们需要的图层没有选择,所以我们需要重新设置有效的图层,在图层管理菜单中选择 Edit---Set Valid Layers。
点击 None Valid 取消所有选中图层。
后面的框是黑的就是表示显示该图层。
下面就是我选择要显示的图层。
num5 图形绘制
create中rectangle表示矩形,polygon是多边形,conics是圆(Circle)椭圆(Ellipse)和圆环(Donut)。
画圆:第一次单击选中圆心,拖动鼠标,第二次单击选中半径。
左键单击选中按Q可以设置圆的上下左右坐标。
画圆弧:第一次单击选中圆心,第二次单击选中内半径,第三次单击选中外半径。
左键单击选中按Q可以设置圆的内半径和外半径。
num6 设置光滑度
在版图编辑窗口选择 Options---layout editor 或者快捷键:shift+E。
Conic Sides 值设置为 200(一般情况)。
如果想得到圆弧或者二分之一圆弧,可以通过 shift+c(剪切) 命令得到,具体操作如下:
首先选中目标---shift+c---画矩形选中需要剪切掉的区域。
num7 边角处版图画法
下图是wafer片的某器件实物图,像边缘的Corner如何去画呢?
这种形状的版图用常规作图工具是无法得到的,我们通常是通过将两个图层进行“与非”逻辑运算操作得到,具体操作如下:首先我们先画一个矩形,然后用另外一个图层画一个圆形
通过左键拖动选中这两个图,或者按住shift单击连续选中两个。
选择后会弹出下图所示 Layer Generation 编辑对话框,设置需要的图层以及运算方式,红框表示需要设置的图层,绿框表示运算方式。
上图表示的含义是图层 A(圆形) 和图层 B(矩形) 进行与非(AND NOT)操作,得到图层 C(表示在A中把AB公共部分去除后的部分,你交换AB图层那就是把圆形中与矩形的公共部分去掉了,注意甄别,C图层要求不与AB相同即可),然后点击 OK,就会退出 Layer Generation 编辑对话框,接着按 Delete 键,就会得到我们需要的版图形状,如下图:
其他运算方式自行练习。
LDMOS圆形版图绘制演示
下图是我仿真出的一个LDMOS的结构尺寸图(这是我上一期讲的工艺的结构图,欢迎参考我上一期内容),经过大量仿真,修改尺寸,重要得到了下图这样的结构尺寸(自己编造的尺寸,仅供演示),这个结构的IV,阈值,BV,饱和电流,短路等等特性都达到了我的设计目标,假设完美无缺~~~,接下来就是开始我的版图绘制,为流片提供版图。
首先要清楚的是,我们仿真的2D结构只是器件的部分截面,并不是我们流片出的具体结构,我们流片的结构可能会是下面的圆形的器件,也就是把上图沿着上面0位置所在的竖线旋转一周得到的,如下图。为什么要把漏放在中间呢,emm..........根据经验,功率器件,漏一般接高电位,把高电位放在中间的话击穿较为均匀。击穿特性较好(相较于把低电位的源放在中间)。你就要告诉工艺厂,你需要在0~4μm圆内给我注入N+,在0~6μm圆内帮我形成N-buffer,在半径分别为32到40的圆环内形成P-body区...................知道这个,根据上图尺寸信息和下图俯视图哦我们就开始绘制版图,版图决定前面工艺讲到的掩膜板的形状。
首先,根据前面讲的,把整个器件放在(0,0)位置,画出N+(图中SN层,0~4μm圆和r=34μm,R=36μm之间圆环),N-buffer(TB层,0~6μm圆),场氧区(TO层,r=6μm,R=32μm之间圆环),P-body(PT层,r=32μm,R=40μm之间圆环),多晶硅栅(GT层,r=25μm,R=34.2μm之间圆环),P+(SP层,r=36μm,R=40μm之间圆环)。先把这些画好,如下图,再搞剩下的层。如下图,配色文件是我自己配的,一般大红色是N+区,深蓝色是P+区,因为仿真里面就是这个颜色看惯了,栅我用紫色了,场氧我用白色的,这样感觉远看就一眼看到了栅的位置,又看到了栅两边是大红色N+,原来这是LDMOS。(我是这么觉得的~)
还没完,接下来画铝1层(A1,第一层铝的意思,三个区域,分别是:r=35μm,R=40μm之间圆环内;r=26μm,R=30μm之间圆环内;r=10μm圆内),孔1(W1层,这里要注意,铝的接触不是整个一大块,而是通过一个又一个小孔,如0.5μmx0.5微米正方形孔接触下去的,我们晶圆厂是这样,不知道你们.........W1有三个区域,分别打在r=35μm,R=40μm之间圆环内;r=26μm,R=30μm之间圆环;r=4μm圆内;这些区域的特点是A1与P+N+区的公共部分),同理,铝2(A2层,三个区域,分别是:r=20μm圆内;r=24μm,R=30μm之间圆环;r=33μm,R=40μm之间圆环),孔2(W2层,分别打在r=35μm,R=40μm之间圆环内;r=26μm,R=30μm之间圆环;r=10μm圆内;这些区域的特点是A2与A1的公共部分)。
下面以W2为例放打W2孔给你们看看,有了这些W2孔(我自己设置的1μmx1μm的正方形,具体看你们晶圆厂的要求,还要注意每个小孔之间的距离,有最小距离规则的,以你们的设计手册为准),在工艺最后垫积金属铝的时候,铝就会从这些孔漏下去,实现了铝1和铝2的连接。
整体效果如下,孔太多了,画的眼疼,就不全画了。
通过铝2引出金属电极,接到pad,供测试用或者供电路设计者连接用啦,电路怎么连应该不关我们的器件搬砖人的事儿了。
小TIP:养成save的习惯,手闲下来记得常点左上角的save。
公众号领进门,修行看个人~~~
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