cadence器件一直显示被选中_Cadence器件版图入门（一）

Cadence器件版图入门第一讲

    本人学生一枚，项目经验有限，该教程适合于初学者(服务于第一次接触版图，为了完成课程设计，为了第一次流片等这样的群体)入门使用，有多年画图经验的，请绕道而行哦。

    上面这种图或许你觉得亲切，但这都属于电路级的原理图与版图，器件是别人设计好的，你能改变的就是器件的宽长比什么的，你改变不了器件的击穿电压等器件级别的特性，但是很多电路所需要的器件不是一般的器件，是需要我们器件工作者自己设计的。

    不同于电路级的版图，器件的版图更为基础，电路的版图需要调用我们仿真(一般是工艺仿真)设计好的元器件，从而进行设计，比如IC设计者的放大器就需要我们设计的MOS供他们调用。在讲版图绘制之前，希望一定要把我上一期讲的器件工艺流程看一下，版图与工艺是紧密结合的。仿真确定的尺寸就是版图制作的依据，而fab(晶圆厂)的掩膜版正是依据fabless(研发团队)提供的版图来制作的。当然在绘制版图之前，要与fab做好沟通，了解流片的工艺平台与流程，其次也要fab提供设计规则的手册(design ruler)，以供后续DRC和LVS检查，确保流片的成功，提高良率。所谓的设计规则有很多条，举个例子，比如你在仿真中可以任意规定两个离子注入区域的距离，但由于实际工艺的精度问题，比如一个N+和一个P+区，距离往往有一个最小值的要求，你在进行结构设计的时候就要特别注意这一点，不然你的仿真结构只是活在仿真的世界，难以转化为实际的产品。对于依据流片出的结构需要大量分片，分区域测试，并通过sentaurus等软件进行校准，以进行后续进一步的分析研究。有时候仿真的浓度与实际流片出来的浓度可能存在差异，所以仿真的研究一定要基于测试结果校准以后的结构进行研究，不要做没有意义的理论研究。仿真，测试，版图，工艺是相辅相成，密不可分的，切不可闭门造车，只“钻研”于理论或仿真，忽视版图与工艺。

    如果需要cadence软件的，我打包一下后面发，看看你们需不需要，需要私信我，我再打包百度云分享。(我的就是百度找的，你们应该也能找到，版本是REDHAT5)

• num1 软件的进入，库与版图文件的建立

进入桌面后右击open terminal，输入cd  /home/Chris/Project进入Project文件夹(因为我的工程保存在了该路径下)，回车，或者直接进入Project文件夹open terminal。 

跳出的窗口选tools---library manager。

新建一个library。

给library起名。

这个窗口用来选择需要的技术文件，一般选择 Attach to an existing techfile，选中后点击 OK。

选中一个已建的库，如上面建立的 teaddy 库，然后选择 File---New---Cell View。

新建一个LDMOS1的版图文件，tool一定要选Virtuoso。

双击打开layout版图文件即可进行版图绘制。

• num2 版图中快捷键介绍

快捷键较多，自己练习练习，我这没讲到的可以自行查找手册。

单击左键选中一个图形(如果是两个图形交叠的话，单击左键选中其中一个图形，再单击选中另一个图形)，用左键框选，选中一片图形，某个图形要被完全包围才会被选中。

右键点击拖放用来放大。放大后经常配合 F 键使用，恢复到全部显示。配合 Tab键使用，平移视图。右键还有“Strokes”，就是点住右键画些图线，就能实现调用某些命令。

按shift不放单击可以连续选中多个目标(相当于windows里的ctrl)，即Shift+左键加选图形，Ctrl+左键减选图形。

Shift+Z 缩小图形(2倍)，Ctrl+Z放大图形(2倍)。

Ctrl+F  显示上层等级 Hierarchy

Shift+F  显示所有等级。

F  键，满工作区显示，就是显示你所画的所有图形(放大之后还原必用此键)。

I 键  调用模块(Instance)。

K 键  标尺工具，Ruler。

Shift+K  清除所有标尺。

M  键  移动，点选 Move 工具后，选中要移动的图形，然后在屏幕上任意一处单击一下，这个就是确定移动的参考点，然后就可以自由移动了。这个也可以通过鼠标先选中一个图形，移动鼠标当鼠标箭头变成十字方向的时候就可以拖动来实现。

Q  键  图形对象属性，这个实用。经常用来更改图形属性，也是选中一个图形先。

R  键  矩形工具。

S  键  拉伸工具，先选中拉伸目标的一条边，再按 S 键。

U  键  撤销 Undo，好像只能撤一步，呜呜。

Shift+U  重复 Redo。撤销命令后，再反悔。

Delete  键  删除。

方向键  移动视图。

Esc  取消某个命令。

F1  显示帮助窗口。

F2  保存。

F3  这个快捷键很有用，是控制在选取相应工具后是否显示相应属性对话框的。比如在选取 Path 工具后，想控制 Path 的走向，可以按 F3 调出对话框进行设置；或者调用图形时，选择旋转角度。

Ctrl+A  全选，这个和 windows 下是一样的。

Shift+B  Return，这个牵扯到“Hierarchy”，翻译成“等级”。这个命令就是等级升一级，升到上一级视图。

Shift+X  下降一等级。

C  键  复制，复制某个图形。

Shift+C  裁切(Chop)，首先选中要裁切的图形，调用命令，后画矩形裁切。

F4 英文是 Toggle Partial Select，就是用来控制是否可以部分选择一个图形。

F5  打开。

F8 Guided Path Create 切换至 L90XYFirst。

F9  是 Filter Size

B 键  去某一级(Go to Level)。

Ctrl+C 中断某个命令，不常用，一般多按几次 Esc 键取消某个命令。

Ctrl +D 取消选择。这个也可用鼠标点击空白区域实现。这个快捷键和 Photoshop中的取消选区的快捷键是一样的。还有 Shift+D，和 D 也是取消选择

Shift+E 和 和 E  是控制用户预设的一些选项。

G 键  这个快捷键是开关引力(Gravity)的。Gravity 我觉得和 AutoCAD 里的吸附Snap 差不多，就是会吸附到某些节点上去。有时候这个 Gravity 是很讨厌的，总是乱吸附，这时可以点击 G 键关闭 Gravity，操作完成后再打开。

L键 标签工具。Label。标签要加在特定的 text 层上，这个有些人总忘记。

Shift+M  合并工具，Merge。

Ctrl+N， Shift+N  和 N控制走向的，Ctrl+N 先横后竖，L90XFirst；Shift+N 直角正交，Orthogonal；

N 键 斜 45 对角+正交，Diagonal。

Shift+O 旋转工具，Rotate。

O  键  插入接触孔，Create Contact。

Ctrl+P  插入引脚，Pin。

Shift+P  多边形工具，Polygon。

P  键  插入 Path，我翻译成“路径”，有人翻译成“管道”。这些最后都要 Convert to Polygon 的。

Shift+Q  打开设计属性对话框，选中一个图形先。

Ctrl+R  是 Redraw 重画。

Shift+R  是 Reshape 重定形，就是在原来的图形上再补上一块图形。

Ctrl+S  是 Split，我翻译成“添加拐点”，就是配合 Stretch 命令可以是原来直的 Path打弯。

Shift+W 下一个视图，Next View。

W  键  前一视图，Previous View。

Ctrl+X  适合编辑，Fit Edit，感觉和 F 差不多。下一个错别字

X  键  (Edit in Place)，在 Hierarchy 菜单下。

Ctrl+Y  叫 Cycle Select 试了下没成功。

Shift+Y  粘贴 Paste，配合 Yank 使用。

Y  键  区域复制 Yank，和 Copy 是有区别的，Copy 只能复制完整图形对象。

Z  键  视图放大。

Tab  键  平移视图 Pan，按 Tab，用鼠标点击视图区中某点，视图就会移至以该点为中心。

Enter  键  确定一个图形的最后一点，也可双击鼠标左键结束。

BackSpace  键  撤销上一点，这个很有用，就不用因为 Path 一点画错而删除重画，可以撤销上一点。

Ctrl+ 方向键  移动 Cell。

Shift+ 方向键  移动鼠标，每次半个格点的距离。

更多快捷键还请自行查看手册哦。

num3 导入配色文件

配色文件的导入方法：

一定要把drf放到你知道的位置，不然容易找不到配色文件。

在这里页面还可以自己配制配色文件，配出你专有的drf文件，配置完记得保存哦。

fill color是内部填充颜色，outline color是边框颜色，stripple是内部填充样式......

• num4 图层的选择

AV(All Valid)：显示所有图层，NV(None Valid)：只显示选中图层。在LSW选完后在版图内上下左右移动一下版图才跟着变哦。

LSW显示的表示的是默认选择的图层，但有些图层是我们不需要的或者我们需要的图层没有选择，所以我们需要重新设置有效的图层，在图层管理菜单中选择 Edit---Set Valid Layers。

点击 None Valid 取消所有选中图层。

后面的框是黑的就是表示显示该图层。

下面就是我选择要显示的图层。

• num5 图形绘制

create中rectangle表示矩形，polygon是多边形，conics是圆(Circle)椭圆(Ellipse)和圆环(Donut)。

画圆：第一次单击选中圆心，拖动鼠标，第二次单击选中半径。

左键单击选中按Q可以设置圆的上下左右坐标。

画圆弧：第一次单击选中圆心，第二次单击选中内半径，第三次单击选中外半径。

左键单击选中按Q可以设置圆的内半径和外半径。

• num6  设置光滑度

在版图编辑窗口选择 Options---layout editor 或者快捷键：shift+E。

Conic Sides 值设置为 200(一般情况)。

如果想得到圆弧或者二分之一圆弧，可以通过 shift+c(剪切) 命令得到，具体操作如下：

首先选中目标---shift+c---画矩形选中需要剪切掉的区域。

• num7  边角处版图画法

下图是wafer片的某器件实物图，像边缘的Corner如何去画呢？

这种形状的版图用常规作图工具是无法得到的，我们通常是通过将两个图层进行“与非”逻辑运算操作得到，具体操作如下：首先我们先画一个矩形，然后用另外一个图层画一个圆形

通过左键拖动选中这两个图，或者按住shift单击连续选中两个。

选择后会弹出下图所示 Layer Generation 编辑对话框，设置需要的图层以及运算方式，红框表示需要设置的图层，绿框表示运算方式。

上图表示的含义是图层 A(圆形) 和图层 B(矩形) 进行与非(AND NOT)操作，得到图层 C(表示在A中把AB公共部分去除后的部分，你交换AB图层那就是把圆形中与矩形的公共部分去掉了，注意甄别，C图层要求不与AB相同即可)，然后点击 OK，就会退出 Layer Generation 编辑对话框，接着按 Delete 键，就会得到我们需要的版图形状，如下图：

其他运算方式自行练习。

LDMOS圆形版图绘制演示

    下图是我仿真出的一个LDMOS的结构尺寸图(这是我上一期讲的工艺的结构图，欢迎参考我上一期内容)，经过大量仿真，修改尺寸，重要得到了下图这样的结构尺寸(自己编造的尺寸，仅供演示)，这个结构的IV，阈值，BV，饱和电流，短路等等特性都达到了我的设计目标，假设完美无缺~~~，接下来就是开始我的版图绘制，为流片提供版图。

    首先要清楚的是，我们仿真的2D结构只是器件的部分截面，并不是我们流片出的具体结构，我们流片的结构可能会是下面的圆形的器件，也就是把上图沿着上面0位置所在的竖线旋转一周得到的，如下图。为什么要把漏放在中间呢，emm..........根据经验，功率器件，漏一般接高电位，把高电位放在中间的话击穿较为均匀。击穿特性较好(相较于把低电位的源放在中间)。你就要告诉工艺厂，你需要在0~4μm圆内给我注入N+，在0~6μm圆内帮我形成N-buffer，在半径分别为32到40的圆环内形成P-body区...................知道这个，根据上图尺寸信息和下图俯视图哦我们就开始绘制版图，版图决定前面工艺讲到的掩膜板的形状。

    首先，根据前面讲的，把整个器件放在(0,0)位置，画出N+(图中SN层，0~4μm圆和r=34μm，R=36μm之间圆环)，N-buffer(TB层，0~6μm圆)，场氧区(TO层，r=6μm，R=32μm之间圆环)，P-body(PT层，r=32μm，R=40μm之间圆环)，多晶硅栅(GT层，r=25μm，R=34.2μm之间圆环)，P+(SP层，r=36μm，R=40μm之间圆环)。先把这些画好，如下图，再搞剩下的层。如下图，配色文件是我自己配的，一般大红色是N+区，深蓝色是P+区，因为仿真里面就是这个颜色看惯了，栅我用紫色了，场氧我用白色的，这样感觉远看就一眼看到了栅的位置，又看到了栅两边是大红色N+，原来这是LDMOS。(我是这么觉得的~)

    还没完，接下来画铝1层(A1，第一层铝的意思，三个区域，分别是：r=35μm，R=40μm之间圆环内；r=26μm，R=30μm之间圆环内；r=10μm圆内)，孔1(W1层，这里要注意，铝的接触不是整个一大块，而是通过一个又一个小孔，如0.5μmx0.5微米正方形孔接触下去的，我们晶圆厂是这样，不知道你们.........W1有三个区域，分别打在r=35μm，R=40μm之间圆环内；r=26μm，R=30μm之间圆环；r=4μm圆内；这些区域的特点是A1与P+N+区的公共部分)，同理，铝2(A2层，三个区域，分别是：r=20μm圆内；r=24μm，R=30μm之间圆环；r=33μm，R=40μm之间圆环)，孔2(W2层，分别打在r=35μm，R=40μm之间圆环内；r=26μm，R=30μm之间圆环；r=10μm圆内；这些区域的特点是A2与A1的公共部分)。

下面以W2为例放打W2孔给你们看看，有了这些W2孔(我自己设置的1μmx1μm的正方形，具体看你们晶圆厂的要求，还要注意每个小孔之间的距离，有最小距离规则的，以你们的设计手册为准)，在工艺最后垫积金属铝的时候，铝就会从这些孔漏下去，实现了铝1和铝2的连接。

整体效果如下，孔太多了，画的眼疼，就不全画了。

通过铝2引出金属电极，接到pad，供测试用或者供电路设计者连接用啦，电路怎么连应该不关我们的器件搬砖人的事儿了。

小TIP：养成save的习惯，手闲下来记得常点左上角的save。

公众号领进门，修行看个人~~~

有用请点赞哦，更多精彩内容持续创作中~