常用SOT23封装小功率MOSFET场效应管参数表

已于 2024-05-17 10:09:27 修改
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分类专栏： 器件介绍 文章标签： MOSFET 场效应管 MOS
于 2024-05-17 10:09:01 首次发布
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　 输入电容(Ciss@Vds) 反向传输电容(Crss@Vds) 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 栅极电荷(Qg@Vgs) 漏源电压(Vdss) 连续漏极电流(Id) 阈值电压(Vgs(th)@Id) 　 　 沟道 封装
2N7002 27.5pF@30V 1.9pF@30V 2.5Ω@10V 1.6nC@10V 60V 340mA 2.5V@250uA 350mW C7420321 N 　
2N7002K 40pF@10V 10pF@10V 0.9Ω@10V,500mA 规格书无参数 60V 340mA 2.5V@1mA 350mW C22379475 N 　
2N7002K 23.8pF@30V 1.5pF@30V 900mΩ@10V 930pC@10V 60V 500mA 1.6V@250uA 350mW
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SOT-23封装的元器件，因其PCB占地小，分立易布置，功能独立，选型范围广，价格便宜等各种优点，深受硬件工程师的青睐。但在没有原理图的情况下，分析别人设计好的电路板时，看到板上密密麻麻SOT-23封装的各种元器件，反查它们就很费劲了，因为其体积小，上面的丝印简单到我们很难快速分辨出它们是什么器件，给测试分析带来不小的困扰。这里凭经验总结汇总了SOT-23封装的一些元器件，以方便对照查找。
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