为什么具有小内阻的MOSFET会发热？

在设计电源或驱动电路时，MOS管是不可避免的。MOS管有各种形状和尺寸，以及各种用途。当然，使用电源或驱动器的切换功能。

无论MOS管是N型还是P型，其工作原理基本相同。提供给输入端栅极的电压调节MOS管中输出端漏极的电流。

一种电压控制的器件，MOS管。器件的特性由提供给栅极的电压控制，避免了三极管切换时基极电流产生的电荷存储效应。因此，在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

MOS管的PDF特性经常被检查。MOS管制造商使用RDS（ON）参数来定义导通电阻。RDS（ON）也是用于切换应用程序的最重要的设备功能。

数据表中定义了与栅极（或驱动）电压VGS和流经开关的电流相关的RDS（ON），但RDS（ON（ON））是用于适当栅极驱动的相对静态特性。常开MOS管很容易加热。此外，逐渐升高的结温度将导致RDS（ON）升高。

热阻抗参数定义为MOS管封装的半导体结散热能力，在MOS管数据表中有规定。从结到外壳的热阻是RJC最基本的定义。

mos管电流发热小的原因：

1） 电路设计问题：使MOS管工作在线性工作状态，而不是开关状态，这是MOS管发热的原因之一。

MOS开关的G电平电压比要完全导通的电源高几V，而P-MOS开关的G-level值则相反。它没有完全打开，电压降太大，导致功耗；等效直流阻抗相对较大，电压降增大，因此U*I增大，导致发热；并且电压降增加，因此U*I增加，导致发热。这是电路设计中最可怕的错误。

2） 频率太高：主要原因是有时过度追求体积，导致频率增加和MOS管损耗增加，从而导致发热增加。

3） 散热设计不足：电流过高，MOS管的额定电流值要求散热良好。因此，如果ID小于最大电流，则可能会产生大量热量，从而需要使用额外的散热器。

MOS管的选择不正确：功率评估不正确，没有充分考虑MOS管的内阻，导致开关阻抗增加。

2.如何解决小电流mos管发热严重的问题：

（1） 0做好MOS管的散热设计，增加足够的辅助散热片。

涂抹散热器。

为什么MOSFET可以防止电源反向？

如果电源反向，电路将损坏，尽管这是不可避免的情况。为了实现即使电源反向也不会被破坏的目标，我们必须在电路中添加保护电路。

在大多数情况下，可以通过将二极管连接到电源的正极来弥补，然而，由于二极管的电压降，电路将遭受过大的损失，尤其是在电池供电的情况下。V、 大大缩短了电池寿命。

使用MOS管进行反反向连接的优点是电压降可以忽略不计。如果内部电阻为6.5毫欧姆，通过的电流为1A（这已经是一个大电流），并且电压降仅为6.5毫伏，则电流MOS管可以具有几毫欧姆的内部电阻。

随着MOS管越来越便宜，人们逐渐开始使用MOS管来防止反向电源连接。

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