与MOS管有关的各种知识

最新推荐文章于 2024-05-16 03:12:53 发布

m0_58163393

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分类专栏： ## 初学篇文章标签：嵌入式硬件硬件工程

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前言

总之文章基本就是个人对于CSDN上各种相关信息的整理，也不是纯粹的转载；也因为刚开始写，所以暂时还不会如何填写大量的“转载链接”。请各位原作者多多包涵
  写这个主要是为了方便加上自己的见解
主要参考：全面认识MOS管，一篇文章就够了

一：MOS管和场效应管

MOS管是什么？

    MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，
    简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
    一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，
    或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS管有3个引脚，G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。

场效应管是什么？

    场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
    它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
    由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
    
    场效应管属于电压控制型半导体器件。
    具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管主要有两种类型：
1、结型场效应管（junction FET—JFET)（不是本文讨论范围）。
2、金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）（本文的主角）。

即MOS管是场效应管的其中之一

二、MOS管分类

按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管。

按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型：

增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零；
耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。

排列组合一下：
增强型 PMOS，增强型 NMOS，耗尽型 PMOS，耗尽型 NMOS。

推荐最后再看这个图请添加图片描述

三、MOS管原理

以增强型NMOS管为例
为了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基础的 N 型半导体和 P 型半导体。
N 型半导体：N 型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
P 型半导体：P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。
掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。

3.1 MOS管的组成

MOS管是怎么制造的？
（增强型N沟道为例）：
请添加图片描述

以P型半导体为衬底，在一个低掺杂容度 的 P 型半导体上，通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体，引出去分别作为 源级（S） 和 漏极（D）。
    P型衬底在 MOS管内部是和 源级（S）相连。

在P型衬底和两个N型半导体 之间加一层 二氧化硅（SiO₂）绝缘膜，然后通过多晶硅引出引脚组成栅极（G）。

3.2 MOS管命名由来

MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管

3.3 MOS管图标由来

3.4 MOS管原理简析

MOS管结构原理图:

Vgs电压的强弱决定了反型层的厚薄！
而反型层的厚薄决定了MOS管内阻的大小！
内阻的大小决定了D和S之间经过电流的大小！

3.5 MOS管输出特性曲线

对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，
如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。
MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。
VGS < VGS(th)时，MOS管处于夹断区(截止区)：
夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。电流ID为0，管子不工作。
VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管进入恒流区：
恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，ID的大小主要决定于电压VGS，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。

注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区：
可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。
击穿区:
随着VDS增大，PN结承受太大的反向电压而被击穿。

3.6 MOS管转移特性曲线

根据MOS管的输出特性曲线，可取得到相应的转移特性曲线。

反应了 MOS管的特性，通过 Vgs的电压来控制 ID(导通电流)，压控流型器件！

附录1：为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？

说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。

我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。
.
PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。
.
PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。
.
所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用
PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）

四、MOS管特点

输入阻抗非常高
因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。
导通电阻低
可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗
开关速度快、开关损耗低
特别适应PWM输出模式
在电路设计上的灵活性大
栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作
低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度
极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。

因此现在芯片内部集成的几乎都是MOS管，但是：

MOS管栅极很容易被静电击穿栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。
前面的几点也可以说是MOS管的优点。最后一点容易击穿也是相对来说的，现在的mos管没有那么容易被击穿，不少都有二极管保护，在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。
    用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。（刚入职就烧了一块板子，emmmmm）

五、MOS管参数

参数详解

MOS管的参数在每一个MOS管的手册上面都有说明，比如：

实际应用中主要关注的参数有

1、VGS(th)(开启电压)
当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。
应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

5.1 MOS管的导通条件

MOS管的开关条件：
N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通；
P沟道：导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。
MOS管导通条件：|Vgs| > |Vgs(th)|

2、VGS(最大栅源电压)
栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加在栅极的电压不能超过这个最大电压。

3、RDS(on)(漏源电阻)
------导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。
------MOS管导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
------现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

4、ID(导通电流)
最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过 ID 。

5、VDSS(漏源击穿电压)
------漏源击穿电压是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。击穿后会使得 ID 剧增。
------这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V（BR）DSS 。

6、gfs(跨导)
------是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，
------是表征MOS管放大能力的一个重要参数,是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。
------过小会导致 MOS 管关断速度降低，过大会导致关断速度过快， EMI特性差。

7、充电参数--------栅极充电信息：

------因为MOS管的都有寄生电容，其被大多数制造厂商分成输入电容，输出电容以及反馈电容。
------输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明，而栅极充电信息更为有用，它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。

附录2：EMI器件原理及应用

5.2 MOS管的寄生电容

寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。

------实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。
------MOS管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率，在这种用途中，栅极信号具有交流特征，频率越高，交流成分越大，寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流，形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视。
------加在 G 极的弱驱动信号瞬间变为高电平，但是为了“灌满”寄生电容需要时间，就会产生上升沿变缓，影响开关频率。

在MOS管的规格书中，有这么几个电容参数：

对于这几个电容参数，看下图所示：

一般从单片机普通应用来说，我们对这个开关要求没那么高，如果不是特殊应用场合可以不用深究。
但是不能忽略寄生电容，所以在我们的MOS使用时候，就会在GS级加上一个电阻，用来释放寄生电容的电流。
5.3 米勒电容

———这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。
额外说明一下，三极管也有米勒电容和米勒效应，但是相对来说MOS管的米勒电容会比三极管的大很多
（具体原因由于工艺问题和MOS管特性问题:  阻抗大 —> 电流小 —> 充电时间长 —> 等效电容大）。
米勒效应会严重增加MOS的开通损耗，因为它延长了MOS的开通时间，同时会降低MOS的开关速度。但因为MOS管的制造工艺，一定会产生Cgd，也就是米勒电容一定会存在，所以米勒效应不能避免，只有采用适当的方法减缓。
一般有四种方法：
 1、选择合适的门极驱动电阻RG
 2、在 G 和 S之间增加电容
 3、采用负压驱动
 4、门极有源钳位
附录3：详细理解米勒电容和米勒效应

<米勒电容和米勒效应>
附录4：为什么常在MOS管GS并联电阻？

如图所示，R1就是GS间的并联电阻，

因此分析一下：释放寄生电容的电流的作用原理。

总结一下：
1、起到防ESD静电的作用，避免处在一个高阻态。这个电阻可以把它当作是一个泄放电阻，避免MOS管误动作，从而损坏MOS管的栅GS极；
2、提供固定偏置，在前级电路开路时，这个的电阻可以保证MOS有效的关断（理由：G极开路，当电压加在DS端时候，会对Cgd充电，导致G极电压升高，不能有效关断）

GS端电阻阻值选择：
建议是一般取5K至数10K左右，太大影响 MOS 管的关断速度。太小驱动电流会增大，驱动功率增大。但是在有些地方大一点也无所谓，比如电源防反接等不需要频繁开关的场合（上面示例图）。

附录5：为什么要在MOS管G级串联电阻？

如图所示，R2就是G级的串联电阻，

1、处理寄生电容
在G级串联一个电阻，与 Ciss（Ciss = Cgd+Cgs）形成一个RC充放电电路，可以减小瞬间电流值，不至于损毁MOS管的驱动芯片。
2、抑制振荡
------MOS管接入电路，也会有引线产生的寄生电感的存在，与寄生电容一起，形成LC振荡电路。对于开关方波波形，是有很多频率成分存在的，那么很可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。
------串联一个电阻，可以减小振荡电路的Q值，是振荡快速衰减，不至于引起电路故障。

G级电阻阻值选择：
一般不建议太大，网上建议百欧以内，会减缓MOS管的开启与通断时间，增加损耗，但是在有些地方大一点也无所谓，比如电源防反接等不需要频繁开关的场合（上面示例图）。

———最后说明一下上面这两个问题，具体情况要具体分析，电阻的选择不是绝对的，比如上面示例中使用的电路，GS 的并联电阻使用了1M，G级串联的电阻使用了10K，对于防反接电路来说，也是正常的，大一点还能降低点电量工作时候的功耗。
———虽然不能给出绝对的参考，但是我们分析了电阻大小对电路的影响，所以根据自己使用的场合才能最终确定自己合适的阻值。

六、MOS管的封装

不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，此处仅对常见的封装形式做一些介绍。

SOT-23

一般单片机方案中最常用的封装，适于几A电流、60V及以下电压环境中采用。
比如：AO3401 ，BSS84

SOT-223

也是单片机方案中最常用的封装，一般也是几A电流、60V及以下电压环境。
比如：IRFL9014TRPBF， ZXMP6A17GTA

TO-252

是目前主流封装之一，电流可以到70A，电压100V以内（电压与电流成反比，电流越大，电压越小）
比如：SM4286T9RL

TO-220/220

这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
比如： IRF4905PBF，NCE6050A

另外还有一些其他的封装：TO-263，TO-3P/247，TO-251，TO-92，SOP-8等，等用到时再逐渐补充。

七、MOS管判别(管脚、NP/好坏)

管脚判别

以下图封装的MOS管为例说明，除了SOT-23 封装，只要是这种类型3脚的封装，那么他的G、D、S一定是按照下图所示的方向定义的（有错误请指出

判别是NMOS 还是 PMOS 以及MOS管好坏。

   测量之前将MOS的3个极短接，泄放MOS管内部电荷，确保MOS截止！！！
将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极，

如果这时候万用表显示0.4V~0.9V（二极管特性，不同MOS管有一定差异）电压值，说明这很可能是一个 NMOS；如果没有读数，说明这很可能是一个PMOS，

为什么说很可能是，因为得考虑到一种情况，MOS管D和S已经击穿损坏或者是寄生二极管开路损坏。

所以只需要将上面的红黑表笔返回来再测试一遍，如果情况相反，那么就能够判断是 NMOS 还是PMOS。

如果上面操作万用表都显示一定的电压值，代表MOS管D和S已经击穿损坏。

如果上面操作万用表都显示1，代表MOS管寄生二极管开路损坏。

将万用表调至蜂鸣器档或者电阻档，将红表笔接在MOS的G极，黑表笔接在S极，蜂鸣器不会响，GS阻抗比较大，代表GS没有击穿损坏。

八、MOS管应用（待整理）

前面也提到过，现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。可见MOS管现在在电子产品的地位，
MOS管产品可广泛的应用于电源，通讯，汽车电子，节能灯，家电等产品。
具体比如：开关电源应用，恒流源，MOS管可应用于放大，阻抗变换，可变电阻等。
MOS管的应用是基于 MOS管的特点优势来决定的。

1、作开关管用

聊聊电源自动切换电路（常用自动切换电路总结）

非常精妙的主副电源自动切换电路，并且“零”压降，客官你GET到精髓了吗？——————好像存在掉电慢而Q1Q2一直导通的问题

2、防反接用

单片机好像用的更多，“车规”不知道，主要原因还是压降发热，导致低电压难以应用二极管；

PMOS管：

电阻的选择没有标准，但是在这个地方，导通条件 Vgs 的电压需要根据 R1 和 R2 分压计算得来的。要保证你电路导通的 Vgs 所提供的
ID 能够满足负载要求。
  实际使用电路导通后，R1、R2 会一直消耗电流，所以放得比较大
  NMOS管会破坏地回路，舍弃

3、作为电平转换使用

 为啥电平转换：
 因为不同芯片的引脚使用的电压不同，通讯的两端压差过大也可能会损坏芯片引脚。
 需要使得两边的电平都符合自身的需求且能够进行正常的通讯。
三极管电平转换电路：

三极管电平转换电路，便宜实用，但是只能单向转化。
而且不适用于波特率过高的应用（大概大于 400Kbps 就不建议用了）。

MOS管电平转换电路: