高频转换器的进展和挑战

最新推荐文章于 2024-07-17 15:00:16 发布

Utmel

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本文链接：https://blog.csdn.net/Utmel/article/details/131381512

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功率转换器的开关频率也起着重要作用。随着开关频率的增加，新的挑战出现了，它降低了系统效率，因为开关频率与开关损耗和磁损耗成正比。为了克服这一挑战，转换器的拓扑结构、驱动电路和磁性元件都应得到改进，以解决效率和工作频率之间的差异。

Ⅰ. 宽带隙器件

现在，功率转换器通常使用宽带隙（WBG）器件，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），它们的输出电容和导通电阻比硅的同类器件低。宽带隙器件的商业化鼓励了高频转换器的发展。碳化硅和氮化镓都是WBG器件，但它们的输出功率、电压水平、性能能力、材料特性和器件结构都不同。

碳化硅

SiC通常是为650V、1200V和更高的工作电压制造的。由于SiC的最高结温较高，它在恶劣的条件下总是有效的。由于SiC的最大结温，它总是在高温和恶劣的环境中发挥作用。

氮化镓

氮化镓在中低电压（低于1200V）下的开关损耗比SiC在650V下的开关损耗低三倍左右。今天，大多数硅基设计的工作频率在60至300kHz之间。氮化镓是唯一可用于实现500千赫兹或更高开关频率的材料。

氮化镓是WBG器件的代表之一，在高频转换器应用中占有相当大的市场份额，有助于半导体行业的持续进步。到2025年，整个市场将从7.4亿增长到20多亿，复合年增长率（CAGR）为12%。主要应用是SATCOM、军事应用和电信基础设施。由于众多大型企业和研究机构对氮化镓的广泛研究，目前市场上有合适的产品。

Ⅱ. 高频转换器的拓扑结构

WBG器件的进步提高了电力电子转换器的频率。在拓扑结构的选择方面，可以减少开关损耗。即使传导损失可能会相应上升，但高频转换器的软开关特性是系统效率的一个关键特性。共振式转换器和非共振式转换器是两大类，根据其工作原理，软开关转换器可大致细分为两大类。

共振式转换器

根据谐振元件的数量，可分为两元件（LC）、三元件（LLC）或多元件（CCL）。高频应用的首选转换器是谐振式转换器，也可分为串联、并联或串并联谐振式转换器。其中，串并联谐振电路（SPRC，也称为LLC）具有良好的平衡谐振网络，这使得它可以从串联和并联谐振拓扑结构中受益。

LLC谐振转换器最吸引人的特点是，它的所有元件都能在整个负载范围内实现零电压开关（ZVS），当转换器工作在谐振或低于谐振时，次级侧同步整流（SR）开关也能实现零电流开关（ZCS）。因此，像LLC和Class-E这样的谐振拓扑结构受到了广泛的关注。

非谐振式转换器

非谐振转换器被分为准谐振技术、有源钳制和零电压开关（ZVT）。准谐振转换器被建议用于那些缺乏先天软开关特性的转换器，并且需要在高频转换器中应用额外的步骤。

在隔离反激式或正激式转换器中用于实现零电压开关和高效率运行的另一种方法是主动钳制。这种方法比传统的有很多优点，包括能够在50%以上的占空比下工作，软开关特性，减少电磁干扰（EMI），以及降低主开关的电压应力。

除了有源钳位之外，零电压过渡（ZVT）是使用MOSFET作为有源开关的转换器的首选有源软开关方法。在几乎整个开关期间，使用这种软开关技术的转换器的功能与普通的脉冲宽度调制（PWM）转换器一样。

共振式栅极驱动器

另一方面，由于传统栅极驱动器的损耗随着开关频率的增加而增加，系统效率将显著下降。因此，谐振栅极驱动器经常被用于高频应用中。电压源谐振栅极驱动器（RGD）的开关速度可以提高，而驱动损耗和开关损耗可以降低。

一个被称为 "电流源驱动器"（CSD）的驱动电路产生一个恒定的驱动电流，对功率MOSFET栅极电容进行充电和放电。在这方面，它比谐振栅极驱动器表现得更好，而且还可以降低具有快速开关速度的硬开关转换器的开关损耗。