UT3N06G-AE3-R-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

UT3N06G-AE3-R（ VB1695）
参数描述：
N沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；SOT23

型号参数介绍：
UT3N06G-AE3-R (VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。

应用简介：UT3N06G-AE3-R适用于功率开关和电机驱动等应用的N沟道MOSFET。
其中等功率特性使其在多种中低功率应用中表现良好。
适用领域与模块：适用于电源开关、电机驱动和LED驱动等领域模块，特别适合中等功率要求的场景。