型号:FDC3512丝印:VB7101M品牌:VBsemi详细参数说明:- 类型:N沟道MOSFET- 最大耐压:100V- 最大电流:3.2A- 导通电阻:100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V- 门源电压:20Vgs (±V)- 门阈电压:2~4Vth- 封装:SOT23-6
应用简介:FDC3512是一款N沟道MOSFET,适用于低压和中等电流的应用。其最大耐压为100V,最大电流为3.2A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1. 电源管理模块:适用于低压电源管理和负载开关控制。2. 电流控制模块:可用于电流调节和负载开关控制。3. 消费电子产品:适用于电池供电设备和便携式电子产品等。总之,FDC3512适用于低压和中等电流应用领域的模块设计,包括电源管理、电流控制和消费电子产品等。