SI2307DS-T1-GE3-VB_MOSFET产品应用与参数解析

型号  SI2307DS-T1-GE3丝印  VB2355品牌  VBsemi参数说明 - MOSFET类型  P沟道- 额定电压(VDS)  -30V - 额定电流(ID)  -5.6A - 开通电阻(RDS(ON))  47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth)  -1V - 封装类型  SOT23

应用简介 这款SI2307DS-T1-GE3 MOSFET是一款低压P沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 - 电源管理模块 用于低压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。- 电池管理模块 用于低压电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。- 小功率开关模块 用于低压开关电路、低功率开关控制等低功率应用。- 消费电子模块 用于低压低功率的消费电子产品中的功率管理和开关模块。总之，SI2307DS-T1-GE3 MOSFET适用于需要低压低功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低压低功率应用的模块。