STD10NF10T4-VB_MOSFET产品应用与参数解析

型号 STD10NF10T4丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 18A- 导通电阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 门阈电压 1.6Vth- 封装 TO252

应用简介 STD10NF10T4是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和大电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为18A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于高压电源开关和DC-DC变换器等。2. 电机驱动模块 可用于驱动大功率电机和机器人控制系统。3. 高压负载开关模块 适用于高压负载开关和电源控制器。总之，STD10NF10T4适用于高电压和大电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和高压负载开关模块等。