IRF7495TRPBF-VB一种N沟道SOP8封装MOS管

型号：IRF7495TRPBF-VB
丝印：VBA1104N
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：SOP8
- 沟道类型：N—Channel沟道
- 额定电压：100V
- 最大电流：9A
- 开态电阻（RDS(ON)）：32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：1.87V

应用简介：
IRF7495TRPBF-VB是VBsemi推出的一款SOP8封装的N—Channel沟道功率MOSFET。具有100V的额定电压和最大9A的电流承受能力，以及在VGS为10V和VGS为20V时的低开态电阻（RDS(ON)）为32mΩ，具备卓越的性能特点。阈值电压（Vth）为1.87V，适用于多种应用场景。

详细参数说明：
1. **封装类型：** SOP8
2. **沟道类型：** N—Channel沟道
3. **额定电压：** 100V
4. **最大电流：** 9A
5. **开态电阻（RDS(ON)）：** 32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **阈值电压（Vth）：** 1.87V

应用领域：
IRF7495TRPBF-VB适用于以下领域的模块：
1. **电源开关：** 由于其N—Channel沟道类型和较高的额定电压，适用于电源开关模块，能够实现高效的电路切换。
2. **电机驱动：** 在电机驱动模块中，可用于控制电机的功率，具备较低的开态电阻。
3. **电源逆变器：** 用于电源逆变器模块，通过高电压和电流承受能力，实现有效的电能转换。

以上是IRF7495TRPBF-VB的详细参数说明和应用简介，该产品在电源开关、电机驱动和电源逆变器等领域有着广泛的应用潜力。