2SK2911-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**2SK2911-VB 详细参数说明：**

- **丝印：** VB1102M
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SOT23
- **沟道类型：** N-Channel
- **最大承受电压：** 100V
- **最大电流：** 2A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 246mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值（Vth）：** 2V

**应用简介：**

2SK2911-VB是一款N-Channel沟道型场效应晶体管（FET），广泛应用于电子领域，特别适合以下领域和模块：

1. **电源模块：** 由于2SK2911-VB具有较高的最大承受电压和电流，可在电源模块中作为开关元件，有效地控制电流流动。

2. **电流调节模块：** 适用于需要精确电流调节的场合，如电动机驱动、LED照明等，其低导通电阻使其在这些应用中表现出色。

3. **电压调节模块：** 通过控制门源电压，2SK2911-VB可以作为电压调节器的关键部件，确保电路的稳定性和可靠性。

4. **开关电源模块：** 在开关电源中，该晶体管可以作为开关器件，实现高效的电源开关，降低能耗。

5. **放大器电路：** 由于其N-Channel沟道类型，可以在放大器电路中用作信号放大器的关键元件。

总体而言，2SK2911-VB适用于各种需要高电压、高电流、低导通电阻的场合，是电源管理、电流控制和开关电源等模块中的理想选择。