5HP01M-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**VBsemi 5HP01M-VB**

- **丝印：** VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 额定电压：-60V
  - 额定电流：-0.5A
  - 开态电阻（RDS(ON)）：3000mΩ@VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压（Vth）：-1.87V

**封装：** SOT23

**详细参数说明：**
- **沟道类型：** P—Channel，表明这是一个P沟道场效应晶体管。
- **额定电压：** -60V，表示晶体管能够承受的最大电压为-60V。
- **额定电流：** -0.5A，表示晶体管的最大额定电流为-0.5A。
- **开态电阻（RDS(ON)）：** 3000mΩ@VGS=10V, VGS=20V，表示在给定的门源电压下，晶体管导通时的电阻为3000毫欧姆。
- **阈值电压（Vth）：** -1.87V，表示晶体管开始导通的门源电压阈值。

**应用简介：**
5HP01M-VB适用于各种电源管理、放大和开关电路。由于是P沟道MOSFET，它在某些电源控制和逆变器设计中可能特别有用。

**举例说明：**
该器件可用于电源开关模块、功率放大器和直流-直流（DC-DC）变换器。例如，在电源管理模块中，它可以用于控制负载开关以提高效率。在放大器中，它可能用于驱动音频放大电路。在DC-DC变换器中，它可以用于实现电源的高效变换。

**注意：** 在具体应用中，请参考该器件的数据手册以获取更详细的电性能和设计信息。