STM8458-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: STM8458-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 额定电压: ±60V
- 最大电流: 6.5A (正向), -5A (反向)
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)): 28mΩ @ VGS=10V, 51mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth): ±1.9V
封装: SOP8

详细参数说明:
STM8458-VB是一款N+P-Channel沟道MOSFET，适用于双极性应用。其额定电压为±60V，能够承受较高的电压波动。具有最大正向电流为6.5A和最大反向电流为-5A的特性，静态漏极-源极电阻在不同的门源电压下分别为28mΩ和51mΩ，具有优异的电流承载能力。阈值电压为±1.9V，具有稳定的电压控制特性。

应用简介:
1. 电机驱动器: STM8458-VB适用于电机驱动器，如步进电机驱动和直流电机驱动，以实现高效的电机控制和能量转换，广泛应用于机器人、自动化设备等领域。
2. 电源管理模块: 该器件可用于电源管理模块，如开关电源和电源逆变器，保证稳定的电源输出和高效的能量转换，广泛应用于工业自动化和家用电器等领域。
3. 汽车电子: STM8458-VB可应用于汽车电子系统，如发动机控制单元(ECU)和车身电子模块，以实现精确的电流控制和稳定的电源输出，提高车辆性能和安全性。

这些示例说明了STM8458-VB器件在电机驱动器、电源管理模块和汽车电子等领域的适用性和应用场景。