06N03LA-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的06N03LA-VB是一款TO263封装的单通道N沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负）和1.7V的阈值电压（Vth）。该器件采用沟道工艺，具有在VGS=4.5V时RDS(ON)为2.7mΩ和在VGS=10V时RDS(ON)为2.4mΩ的低导通电阻。其最大漏极电流（ID）为98A。

### 参数说明：

- **器件类型**：单通道N沟道MOSFET
- **封装**：TO263
- **VDS（漏极-源极电压）**：30V
- **VGS（栅极-源极电压）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：98A
- **工艺**：沟道

### 适用领域和模块举例：

1. **电源管理模块**：由于其适中的漏极电压和低导通电阻，06N03LA-VB适用于电源管理模块，如开关电源和直流-直流转换器，提供高效的电源控制。
2. **电池管理模块**：在需要较低电压和电流控制的电池管理系统中，这款MOSFET可用于充放电控制，如便携式电子设备和电动玩具。
3. **电机驱动模块**：在需要中等功率电机驱动的应用中，06N03LA-VB可用于驱动各种电机，如工业设备和家用电器中的电机控制模块。
4. **LED照明模块**：在LED照明应用中，06N03LA-VB可用于开关电源，控制LED的亮度和电流，实现节能和可调光效果。

以上是对06N03LA-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。