120P3N-VB一种P-Channel沟道DFN8(3X3)封装MOS管

### 产品简介：

120P3N-VB 是一款单P沟道场效应管（MOSFET），具有-30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），-2.5V的阈值电压（Vth），18mΩ@VGS=4.5V和11mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及-45A的漏极电流（ID）。采用了Trench工艺。适用于中高功率、低电压的应用场合。

### 参数说明：

- **Package：** DFN8(3X3)
- **Configuration：** Single-P-Channel
- **VDS（漏极-源极电压）：** -30V
- **VGS（栅极-源极电压，±V）：** 20V
- **Vth（阈值电压）：** -2.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 18mΩ@VGS=4.5V，11mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** -45A
- **Technology（工艺）：** Trench

### 应用示例：

1. **电源模块：** 120P3N-VB 可用于中高功率的负载开关，如电源模块、电池管理系统等，以提供稳定的电压和电流输出。

2. **电池保护：** 适用于电池保护系统中的负载开关和保护电路，保护电池不受过载或短路的损害。

3. **电动车充电桩：** 可用于中高功率的电动车充电桩中，提供稳定的充电电流和电压。

4. **工业控制：** 可用于工业领域中的电源开关和控制电路，如工业电源、机械控制等，提供高效能的功率控制。

5. **照明系统：** 适用于LED照明系统的电源开关，实现高效能的功率控制和调光功能。

以上仅为一些典型应用示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。