### 12N50U-VB 产品简介
12N50U-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 3.5V。在栅源电压为 10V 时,其导通电阻 (RDS(ON)) 为 680mΩ。这款 MOSFET 采用 Plannar 技术制造,适用于一些中功率的应用场合。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
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| 产品型号 | 12N50U-VB |
| 封装 | TO220F |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 650V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 680mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 12A |
| 技术 | Plannar |
### 应用领域和模块示例
12N50U-VB 这款 MOSFET 可适用于一些中功率的应用场合,例如:
1. **电源管理模块**
- 适用于中功率的开关电源和 DC-DC 转换器,提供高效的能量转换和电流控制。
2. **照明控制**
- 在照明系统中,可用作灯泡、灯带等照明设备的开关控制器,提供稳定的电流控制和功率管理。
3. **工业控制**
- 适用于一些中功率工业控制系统中的开关电路和负载开关,提供高频操作和中等电流处理能力。
4. **电动工具**
- 在一些中功率的电动工具中,如电动钻、电动锯等,通过其适中的电流处理能力和稳定性,提供可靠的电动工具性能。
5. **电动车充电系统**
- 可用作电动车充电系统中的关键开关元件,确保充电系统的安全和稳定性。
通过以上示例,可以看出 12N50U-VB MOSFET 在一些中功率的应用场合具备较好的性能和稳定性,是许多电子系统中的重要组成部分。