### 产品简介
VBsemi的2N08L50-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装在TO252中。这款MOSFET适用于中电压、中电流的开关应用,具有适中的导通电阻和漏极电流能力,适合在电源管理、电动工具和LED驱动等领域的应用。
### 详细的参数说明
- **型号**: 2N08L50-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 40A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **电源管理**
- **应用场景**: 用作开关元件,用于DC-DC转换器和AC-DC转换器中,提高转换效率,降低功耗。
- **模块**: 电源适配器、电源模块、电源管理IC。
2. **电动工具**
- **应用场景**: 用于电动工具中的电机驱动电路,如电动钻、电动锯等,提供高效率的电动工具操作。
- **模块**: 电动钻驱动器、电动锯驱动器。
3. **LED驱动**
- **应用场景**: 用作LED驱动电路中的开关元件,控制LED的亮度和开关。
- **模块**: LED驱动器、照明控制系统。
2N08L50-VB适用于中电压、中电流的应用场景,能够提供稳定可靠的性能,在多种领域都有广泛的应用。