AM40P03-20D-T1-PF-VB一种P沟道TO252封装MOS管

型号：AM40P03-20D-T1-PF-VB
丝印：VBE2317
品牌：VBsemi
参数：P沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.7Vth(V)；TO252
封装：TO252

详细参数说明：
- 型号：AM40P03-20D-T1-PF-VB
- 丝印：VBE2317
- 品牌：VBsemi
- 沟道类型：P沟道
- 最大耐压：-30V
- 最大电流：-40A
- 静态导通电阻：18mΩ @ 10V, 25mΩ @ 4.5V
- 门源极电压：20Vgs (±V)
- 阈值电压：-1.7V

应用简介：
AM40P03-20D-T1-PF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子模块和应用，特别是在需要高电流开关和低导通电阻的情况下。

应用领域：
这种产品通常用在以下领域的模块上：
1. 电源供应模块：用于电源开关和电流控制，如电源适配器和开关电源。
2. 电池管理模块：在充电和放电控制中，可用于保护电池和管理电池状态，如便携式电子设备。
3. DC-DC转换器模块：用于直流电到直流电的变换，如电动车辆电池管理系统。
4. 电荷保护模块：在电路中起到过载保护和电流控制的作用，如充电器和逆变器。
5. 模拟开关模块：用于模拟信号开关和切换，如音频信号切换器和音频放大器。

这款器件的P沟道MOSFET的低导通电阻和高电流承受能力使其在上述领域中具有广泛的应用潜力，有助于提高电子系统的性能和效率。