MI4825-VB一款SOP8封装P—Channel场效应MOS管

**型号：** MI4825-VB

**丝印：** VBA2311

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大电压：** -30V
- **最大电流：** -11A
- **导通电阻：** RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压：** Vth = -1.42V

**封装：** SOP8

**详细参数说明：**
MI4825-VB是一款P—Channel沟道功率MOSFET，具备卓越的性能参数。其最大电压可达-30V，最大电流达到-11A。在VGS=10V和VGS=20V时，导通电阻（RDS(ON)）均为10mΩ，表现出优秀的导通特性。阈值电压Vth为-1.42V，表明在低电压条件下具有灵敏的触发能力。

**应用简介：**
MI4825-VB适用于多种领域，包括但不限于：
1. **电源管理模块：** 具有低导通电阻和高电流能力，适用于设计高性能电源管理模块。
2. **电动汽车控制器：** 在电动汽车电子系统中，可以应用于电机控制器模块，提供可靠的功率开关。
3. **太阳能逆变器：** 作为太阳能逆变器的关键组件，可提供高效的电能转换。

**举例说明：**
MI4825-VB可以被广泛应用于太阳能逆变器模块，用于将太阳能电池产生的直流电转换为交流电。其高电压承受能力和低导通电阻使其成为太阳能逆变器模块中的理想选择，提高能源转换效率。