MI4614-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管

**MI4614-VB**

**产品特性：**
- N+P-Channel沟道
- 工作电压：±60V
- 额定电流：6.5A (N-Channel) / -5A (P-Channel)
- 开态电阻：28mΩ @ VGS=10V (N-Channel) / 51mΩ @ VGS=20V (P-Channel)
- 阈值电压：±1.9V

**封装：** SOP8

**品牌：** VBsemi

**详细参数说明：**
MI4614-VB是一款N+P沟道MOSFET，适用于双极性工作环境。其具有宽广的工作电压范围、高额定电流和低开态电阻，能够满足各种应用场景的需求。

**应用简介：**
该产品适用于以下领域和模块：
1. **电源管理模块：** 在DC-DC变换器、AC-DC转换器和开关电源等模块中，MI4614-VB可提供高效的电源管理和稳定的电流控制。
2. **电机驱动器：** 适用于各种电机驱动器模块，包括直流电机、步进电机和无刷直流电机等，提供高效的电流控制和驱动性能。
3. **汽车电子系统：** 在车载电源管理、电动车电池管理和电机驱动等模块中，MI4614-VB能够提供稳定可靠的电力支持和电力输出。
4. **工业自动化控制：** 用于工业自动化领域中的电源管理和电机控制模块，能够满足高电压、高电流和稳定性能的需求。

MI4614-VB具有双极性沟道设计，可广泛应用于正负电压环境下的各种电源管理和电流控制模块，为用户提供高效、稳定的解决方案。