MTA100N10KRN3-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** MTA100N10KRN3-VB

**丝印：** VB1101M

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：N—Channel
- 最大工作电压：100V
- 最大电流：4.3A
- 开启电阻：RDS(ON)=120mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=1.2~2.8V

**封装：**
- 封装类型：SOT23

**详细参数说明：**
- **沟道类型（Channel Type）：** 该产品采用N—Channel沟道，适用于正电源下的应用。
- **最大工作电压（Maximum Operating Voltage）：** 产品支持最大工作电压为100V，适用于需要较高电压的电路。
- **最大电流（Maximum Current）：** 产品最大支持4.3A电流，适用于中等功率需求的电路。
- **开启电阻（On-Resistance）：** 在VGS=10V和VGS=20V条件下，开启电阻为120mΩ，表明产品在导通状态时具有较低的电阻，有利于电路效率。
- **阈值电压（Threshold Voltage）：** 产品的阈值电压范围为1.2~2.8V，这是沟道开始导通的电压范围。

**应用简介：**
该产品适用于SOT23封装，N—Channel沟道，特别适用于以下领域和模块：

1. **电源管理模块：** 由于产品支持较高工作电压，可用于电源管理模块，确保电源效率和稳定性。

2. **电流控制模块：** 产品最大支持4.3A电流，适用于需要对电流进行精确控制的模块，如电流控制驱动器。

3. **开关电源模块：** N—Channel沟道的设计使其适用于正电源下的开关电源模块，如开关电源逆变器。

4. **电机驱动模块：** 由于产品支持较高电流，可用于电机驱动模块，提供足够的电流输出。

请根据具体的电路设计需求和应用场景，选择是否采用MTA100N10KRN3-VB产品，并确保符合相关电气规范和要求。