100N03A-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 100N03A-VB 产品简介：

100N03A-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 TO220。该器件具有 30V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS，最大值），和 1.7V 的阈值电压（Vth）。它采用沟槽工艺，具有低导通电阻和优异的性能。

### 100N03A-VB 详细参数说明：

- **封装：** TO220
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 30V
- **栅极-源极电压（VGS）：** 20V（±）
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 4mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 120A
- **工艺：** 沟槽工艺

### 应用领域和模块举例：

1. **电源模块：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，适用于开关电源和逆变器模块中的高功率开关控制。
2. **电动汽车驱动：** 可用于电动汽车驱动系统中的高功率开关控制器，提供高效率和高性能。
3. **工业自动化：** 适用于工业自动化系统中的开关控制，如工业机器人和自动化生产线。
4. **电池管理：** 可用于电池保护电路和电池充放电控制，实现高效率和安全性。

以上仅为几个示例，100N03A-VB 在其它领域和模块中也可能有广泛的应用。