100N02-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
100N02-VB是一款TO252封装的单路N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），1.7V的阈值电压（Vth），在VGS=4.5V时的导通电阻为3mΩ（RDS(ON)），在VGS=10V时的导通电阻为2mΩ（RDS(ON)），以及100A的漏极电流（ID）。该产品采用槽沟道（Trench）技术制造。

**详细参数说明：**
- 封装：TO252
- 极性：N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：30V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- 导通电阻（RDS(ON)）：3mΩ @ VGS=4.5V，2mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：100A
- 技术：槽沟道（Trench）

**适用领域和模块：**
- 电源管理：100N02-VB适用于需要高电流和低导通电阻的电源管理，例如服务器电源、工业电源等。
- 电机驱动：由于其高漏极电流和低导通电阻，这款MOSFET可以用于电机驱动电路中，实现高效率的电机控制。
- 电池保护：在需要对电池进行保护的场合，这款MOSFET可以用于电池保护电路中，实现对电池的安全管理。
- 逆变器：对于需要高效率的逆变器，100N02-VB可以用作逆变器的关键元件，实现高效率的能量转换。

以上只是一些例子，实际上，100N02-VB还可以用于许多其他领域和模块，具体取决于应用的要求和设计的需要。