MVGSF1N02LT1G-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi
**详细参数说明:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:N—Channel
- 最大漏极电压:30V
- 最大漏极电流:6.5A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门极阈值电压 (Vth):1.2~2.2V
**应用简介:**
MVGSF1N02LT1G-VB 是一款采用 SOT23 封装的 N-Channel 沟道场效应晶体管(FET)。其设计注重提供低漏极电阻和高漏极电流,适用于多种电子应用场景。
**应用领域:**
1. **电源管理模块:** MVGSF1N02LT1G-VB 可用于电源管理模块,通过有效控制电源输出,提高电源效率。
2. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行有效控制的电路,如电流源、电流控制模块等。
3. **开关电源:** 在开关电源中,MVGSF1N02LT1G-VB 可用于控制电流流动,有助于实现高效的能源转换。
4. **电池管理系统:** 由于其低阻和高电流能力,可用于电池管理系统中,帮助管理和控制电池的充放电过程。
5. **低电压断开开关:** 适用于需要低电压断开开关的电路,具有适中的门极阈值电压。
通过这些特性,MVGSF1N02LT1G-VB 可广泛应用于各种需要 N-Channel 场效应晶体管的电子设备和模块中,为电路提供可靠、高性能的解决方案。