SI2321DS-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号：SI2321DS-T1-GE3-VB

- 丝印：VB2290
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 最大工作电压：-20V
  - 最大电流：-4A
  - RDS(ON)：57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压(Vth)：-0.81V

详细参数说明和应用简介：

SI2321DS-T1-GE3-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应管。具有最大工作电压为-20V，最大电流为-4A，RDS(ON)为57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V的特性。其阈值电压为-0.81V。

**适用领域和模块举例：**

1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道特性和适中的电流容量，SI2321DS-T1-GE3-VB可广泛应用于电源管理模块中，用于电池保护、电源开关等功能。

2. **电流控制模块：** 适用于需要对电流进行精确控制的模块，例如电机驱动模块、LED驱动模块等。

3. **信号放大器：** 可作为信号放大器的关键组件，用于放大微弱信号，例如在传感器接口电路中的应用。

总体而言，SI2321DS-T1-GE3-VB在需要P—Channel沟道场效应管的场景中，如电源管理、电流控制等模块中具有广泛的应用潜力。