SMG2305P-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号: SMG2305P-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

参数:
- 封装: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压(Vds): -30V
- 额定电流(Id): -5.6A
- 导通电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V

应用简介:
SMG2305P-VB是一款SOT23封装的P-Channel沟道MOSFET，具有低导通电阻和适用于低电压应用的特性。该器件可在多种电源管理和开关电源应用中发挥作用。

领域和模块应用:
1. **电源管理模块:**
   - 适用于设计小型电源管理电路，如低电压电源和便携设备。

2. **电池管理系统:**
   - 可用于电池充放电管理，特别是在便携式电子设备中。

3. **DC-DC转换器:**
   - 在小型DC-DC转换器中使用，以实现电源转换。

4. **电流控制应用:**
   - 用于需要P-Channel沟道MOSFET进行电流控制的电路。

请在具体应用中确保器件的工作条件符合其规格书中的要求。