SSG4825P-VB一款P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** SSG4825P-VB  
**丝印：** VBA2311  
**品牌：** VBsemi  

**参数：**  
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大耐压：** -30V
- **最大电流：** -11A
- **导通电阻：** RDS(ON)=10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源极阈值电压：** Vth=-1.42V

**封装：** SOP8  

**详细参数说明：**  
SSG4825P-VB是一款P—Channel沟道的MOSFET，具有最大-30V的耐压和最大-11A的电流特性。在VGS为10V和20V时，导通电阻为10mΩ。门源极阈值电压为-1.42V。该器件采用SOP8封装，适用于高性能电源和功率管理应用。

**应用简介：**  
SSG4825P-VB广泛应用于要求高性能P—Channel沟道MOSFET的电路中。其低导通电阻和高耐压特性使其在功率开关和放大器应用中表现优异。

**适用领域和模块举例：**
1. **电源开关模块：** 由于SSG4825P-VB的P—Channel沟道特性，适用于电源开关模块，可实现高效的电源管理。
2. **电动汽车充电控制：** 在电动汽车充电控制电路中，SSG4825P-VB可用于功率开关，确保电能传输的高效性。
3. **电机驱动器：** 由于其-11A的最大电流，适用于电机驱动器中，可用于控制电机的启停和速度调节。

**注意：** 在使用前，请仔细阅读产品手册和规格书，确保在规定的电气和温度条件下使用。