TDM2301SAC-TRL-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

TDM2301SAC-TRL-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数：SOT23；P—Channel沟道，-20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V，VGS=12V；Vth=-0.81V 封装：SOT23

详细参数说明：
- 型号：TDM2301SAC-TRL-VB
- 丝印：VB2290
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 封装类型：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 额定电压：-20V
  - 额定电流：-4A
  - 开启电阻：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压：-0.81V

应用简介：
TDM2301SAC-TRL-VB 是一款适用于SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管。其特性包括负载电压高、电流大，适用于多种电路和模块应用。由于其低阈值电压和高性能，该器件常用于需要高效能、低功耗的电子设备中，如功率放大器、电源管理模块等。

举例说明：
TDM2301SAC-TRL-VB 可广泛应用于便携式电子产品、电源逆变器、汽车电子等领域。在功率管理模块中，它可以用于设计高性能、高效率的开关电源，以及其他需要调节电流和电压的应用。