UT3403G-AE3-R-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

型号：UT3403G-AE3-R-VB
丝印：VB2355
品牌：VBsemi
封装：SOT23

参数：
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-5.6A
- 开启电阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门源电压阈值：Vth=-1V

应用简介：
UT3403G-AE3-R-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，具有卓越的性能参数，适用于多种电路设计和应用场景。其特点包括低电压阈值、高额定电流和低开启电阻，为电子设备提供可靠的功率控制和管理功能。

详细参数说明：
1. **沟道类型**：P—Channel MOSFET，适用于需要P型输电导体的电路设计。
2. **额定电压**：-30V，适用于各类电源和电子设备的电路设计。
3. **额定电流**：-5.6A，具有较高的电流承载能力，适用于需要处理大电流的场景。
4. **开启电阻**：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，低开启电阻有助于减小功率损耗，提高效率。
5. **门源电压阈值**：Vth=-1V，低电压阈值使其在低电压环境中表现出色。

应用领域：
UT3403G-AE3-R-VB适用于多种领域，包括但不限于：
- **电源管理模块**：可用于电源开关、稳压和调节电路。
- **电动工具**：满足电动工具对高电流和耐压的需求。
- **汽车电子**：适用于汽车电子系统中的电源开关和电流控制。
- **LED照明**：用于LED驱动电路，提供高效的电流控制。

总体而言，UT3403G-AE3-R-VB是一款性能卓越的MOSFET，适用于多个领域的电路设计，为电子设备提供可靠的功率控制和管理功能。