型号:UT3403G-AE3-R-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
封装:SOT23
参数:
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-5.6A
- 开启电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门源电压阈值:Vth=-1V
应用简介:
UT3403G-AE3-R-VB是一款P—Channel沟道MOSFET,具有卓越的性能参数,适用于多种电路设计和应用场景。其特点包括低电压阈值、高额定电流和低开启电阻,为电子设备提供可靠的功率控制和管理功能。
详细参数说明:
1. **沟道类型**:P—Channel MOSFET,适用于需要P型输电导体的电路设计。
2. **额定电压**:-30V,适用于各类电源和电子设备的电路设计。
3. **额定电流**:-5.6A,具有较高的电流承载能力,适用于需要处理大电流的场景。
4. **开启电阻**:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,低开启电阻有助于减小功率损耗,提高效率。
5. **门源电压阈值**:Vth=-1V,低电压阈值使其在低电压环境中表现出色。
应用领域:
UT3403G-AE3-R-VB适用于多种领域,包括但不限于:
- **电源管理模块**:可用于电源开关、稳压和调节电路。
- **电动工具**:满足电动工具对高电流和耐压的需求。
- **汽车电子**:适用于汽车电子系统中的电源开关和电流控制。
- **LED照明**:用于LED驱动电路,提供高效的电流控制。
总体而言,UT3403G-AE3-R-VB是一款性能卓越的MOSFET,适用于多个领域的电路设计,为电子设备提供可靠的功率控制和管理功能。