UT2321G-AE3-R-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

型号: UT2321G-AE3-R-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

参数:
- 封装: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压(Vds): -30V
- 额定电流(Id): -5.6A
- 导通电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V

应用简介:
该器件适用于SOT23封装，属于P-Channel沟道MOSFET。其主要特性包括低导通电阻、适用于较低电压的应用等。

领域和模块应用:
1. **电源管理模块:**
   - 用于低电压、小功率的电源管理电路。
   
2. **电池管理系统:**
   - 适用于便携式设备、电池充放电管理。

3. **DC-DC转换器:**
   - 用于设计小型DC-DC转换器，实现电源转换。

4. **电流控制应用:**
   - 在需要P-Channel沟道MOSFET进行电流控制的电路中使用。

请注意，在具体应用中，确保器件的工作条件符合其规格书中的要求。