### 产品简介:
VBsemi的057N03LS-VB是一款DFN8(5X6)封装的单N沟道场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,正负值)、1.7V的阈值电压(Vth)、5mΩ@VGS=4.5V和3mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及120A的漏极电流(ID)。采用了沟槽工艺(Trench Technology),在高电压下具有良好的性能和可靠性。
### 参数说明:
- 封装:DFN8(5X6)
- 类型:单N沟道
- VDS(漏极-源极电压):30V
- VGS(栅极-源极电压):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- RDS(ON):5mΩ@VGS=4.5V,3mΩ@VGS=10V
- ID(漏极电流):120A
- 工艺:沟槽工艺
### 适用领域和模块:
- 电源模块:由于其低导通电阻和高漏极电流,057N03LS-VB适用于电源模块,如电源开关和开关稳压器。这些模块需要可靠的开关和控制来管理高功率负载。
- 电池管理:在需要高电流输出的电池管理系统中,该器件可以提供可靠的功率开关控制,适用于电动车辆、便携式电子设备等。
- 照明控制:对于需要高效率和高亮度的LED照明系统,057N03LS-VB也是一个理想的选择。其低导通电阻可以减少能量损耗,提高照明效果。