107N20N-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

107N20N-VB是VBsemi推出的TO263封装单路N沟道MOSFET产品。以下是该产品的详细参数说明：

- **包装：** TO263
- **配置：** 单路N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 200V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 4V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 7.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 100A
- **技术：** Trench

该产品适用于以下领域和模块：
1. **电源模块：** 由于其较高的漏极-源极电压（VDS）和漏极电流（ID）能力，适用于电源模块的开关和控制。
2. **电机驱动模块：** 可用于电机驱动模块中的开关和控制，具有较低的导通电阻和较高的电流能力。
3. **LED照明驱动模块：** 作为LED照明驱动模块的开关元件，具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电压能力。
4. **电动车充电模块：** 适用于电动车的充电模块，能够承受较高的电压和电流。
5. **工业控制模块：** 可用于工业设备和机械的开关和控制，具有较好的耐压和耐电流能力。

以上是107N20N-VB MOSFET产品的详细介绍和应用领域说明。