### 产品简介:
VBsemi的MOSFET产品12N90L-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有900V的漏极-源极电压(VDS)和9A的漏极电流(ID)能力。该产品在TO220F封装中提供,适用于需要高电压和中等电流的功率电子应用。
### 参数说明:
- 封装:TO220F
- 构型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):900V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):560mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):9A
- 技术:SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块:
1. **电源模块**:由于12N90L-TF1-T-VB具有较高的漏极电压和适中的漏极电流能力,适用于高性能的开关电源模块,如DC-DC变换器和AC-DC变换器。
2. **电动汽车**:在电动汽车中,这款MOSFET可以用于电机驱动器、电池管理系统等模块,提供高效率和可靠性。
3. **工业控制**:在工业控制设备中,这款MOSFET可用于逆变器、电源管理单元等模块,提供可靠的功率控制和转换。
4. **电池管理**:在需要中等功率密度的电池管理系统中,12N90L-TF1-T-VB可用于电池充放电控制、保护等模块,支持高功率密度和能效。
5. **太阳能逆变器**:这款MOSFET还可用于太阳能逆变器中,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
以上是对12N90L-TF1-T-VB MOSFET产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的介绍。