10B8-VB一款N-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

10B8-VB是一款SOT23-6封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和1.8V的阈值电压（Vth）。在不同的栅极-源极电压下，其导通电阻（RDS(ON)）分别为105mΩ（@VGS=4.5V）和95mΩ（@VGS=10V），最大漏极电流（ID）为3.2A。这款MOSFET采用槽沟技术制造。

以下是关于10B8-VB的详细参数说明：

- **封装类型（Package）**：SOT23-6
- **器件类型（Configuration）**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：100V
- **栅极-源极电压（VGS，±V）**：20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：105mΩ @ VGS=4.5V, 95mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：3.2A
- **技术**：槽沟

关于该产品在哪些领域和模块上的应用，以下是一些例子：

1. **电源管理**：由于其适中的漏极-源极电压和导通电阻，10B8-VB适用于低功率的开关电源和变换器。
2. **电池保护**：在需要对电池进行保护的应用中，这款MOSFET可以用于开关电路，以确保电池在安全范围内工作。
3. **医疗设备**：在需要小尺寸和低功耗的医疗设备中，10B8-VB可以用作开关器件，用于控制和管理电源。
4. **LED照明**：对于需要低功率和低热量的LED照明系统，这款MOSFET可以用于LED驱动器中的开关器件。

这些只是一些例子，实际上，10B8-VB可以适用于需要低功率、适中电压和电流、低导通电阻的各种应用场景。