**产品简介:**
VBsemi的10N65K-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻RDS(ON)为830mΩ,最大漏极电流(ID)为10A,采用平面技术。
**详细参数说明:**
- 封装:TO220F
- 极性:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30(±V)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻RDS(ON):830mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流(ID):10A
- 技术:平面
**适用领域和模块举例:**
- 电源管理:由于10N65K-VB具有较高的漏极-源极电压和导通电阻特性,适用于高压、高功率的电源管理中,如电源逆变器、开关电源等模块。
- 汽车电子:在汽车电子中,需要耐受高电压和高温的元件,10N65K-VB可用于汽车电子中的直流-直流转换器、电动车充电桩等模块。
- 工业控制:工业控制系统需要稳定可靠的电源和开关元件,10N65K-VB可用于工业控制中的电机控制、照明控制等模块。
- 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,需要承受高压和高功率,10N65K-VB可用于太阳能逆变器中的直流-交流转换模块。
以上是对10N65K-VB产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。