10N65L-TF1-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

**10N65L-TF1-T-VB 产品简介：**

10N65L-TF1-T-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，封装为 TO220F。它具有高达 650V 的漏极-源极电压（VDS），以及额定为 ±30V 的门源极电压（VGS）。门极阈值电压（Vth）为 3.5V，漏极-源极电阻（RDS(ON)）在 VGS=10V 时为 830mΩ，漏极电流（ID）额定为 10A。这款 MOSFET 采用平面工艺制造（Plannar Technology）。

**10N65L-TF1-T-VB 详细参数说明：**

- **封装类型（Package）：** TO220F
- **器件类型（Configuration）：** 单 N-沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **门源极电压（VGS）：** ±30V
- **门极阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **漏极-源极电阻（RDS(ON)）：** 830mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 10A
- **技术工艺（Technology）：** 平面工艺（Plannar）

**10N65L-TF1-T-VB 适用领域和模块示例：**

1. **电源模块：** 由于其高漏极-源极电压和低漏极-源极电阻，10N65L-TF1-T-VB 可以广泛应用于电源开关模块中，如开关电源、逆变器和稳压器等。
   
2. **照明领域：** 10N65L-TF1-T-VB 的高漏极-源极电压和较低的导通电阻使其非常适合用于 LED 照明驱动器和照明控制模块。

3. **工业自动化：** 在工业控制系统中，10N65L-TF1-T-VB 可以作为电机控制模块中的开关器件，用于实现高效的电机控制。

4. **电动车充电桩：** 由于其高漏极-源极电压和较高的漏极电流能力，10N65L-TF1-T-VB 可以用于电动车充电桩中的开关电源模块，实现快速充电和高效能量转换。

以上是 10N65L-TF1-T-VB 的产品简介、详细参数说明和适用领域和模块示例。