10P03-VB TO220一种P-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介：

10P03-VB 是一款单通道 P 型 MOSFET，采用槽沟技术（Trench）制造，具有-60V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS，±），-1.7V 的阈值电压（Vth），在VGS=4.5V 时的导通电阻（RDS(ON)）为74mΩ，在VGS=10V 时的导通电阻为62mΩ，最大漏极电流（ID）为-40A。该产品采用 TO220 封装。

### 参数说明：

- **包装尺寸**：TO220
- **配置**：单 P-通道
- **漏极-源极电压（VDS）**：-60V
- **栅极-源极电压（VGS）**：20V（±）
- **阈值电压（Vth）**：-1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：74mΩ @ VGS=4.5V，62mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：-40A
- **技术**：槽沟（Trench）

### 应用示例：

1. **电源开关**：10P03-VB 可用作电源开关，例如在 DC-DC 转换器中。
2. **电池保护**：适用于锂电池保护电路中的过压保护。
3. **功率管理**：可用于各种功率管理应用，如电源管理单元（PMU）。
4. **汽车电子**：在汽车电子中的电池管理系统（BMS）中作为保护开关。
5. **LED 驱动**：用于 LED 灯驱动器中的功率开关。

这些示例突显了 10P03-VB 在各种需要负载开关的应用中的广泛应用。