11N65M5-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介：

11N65M5-VB TO252 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），370mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及11A的漏极电流（ID）。采用了SJ_Multi-EPI工艺。适用于高压、中功率的应用场合。

### 参数说明：

- **Package：** TO252
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏极-源极电压）：** 650V
- **VGS（栅极-源极电压，±V）：** 30V
- **Vth（阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 370mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 11A
- **Technology（工艺）：** SJ_Multi-EPI

### 应用示例：

1. **电源逆变器：** 11N65M5-VB TO252 可用于中功率的逆变器模块，如家用逆变器、工业逆变器等，实现直流到交流的转换。

2. **电动车充电桩：** 适用于中功率的电动车充电桩中，提供稳定的充电电流和电压。

3. **工业控制：** 可用于工业领域中的电源开关和控制电路，如工业电源、机械控制等，提供高效能的功率控制。

4. **照明系统：** 适用于LED照明系统的电源开关，实现高效能的功率控制和调光功能。

5. **太阳能逆变器：** 可用于中功率的太阳能逆变器中，实现太阳能电池板到交流电的转换。

以上仅为一些典型应用示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。