13N05L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介
VBsemi的13N05L-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），以及在VGS=4.5V时为85mΩ，在VGS=10V时为73mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的漏极电流（ID）额定为18A，采用沟道技术制造。

### 参数说明
- **包装形式**：TO252
- **通道类型**：单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：60V
- **VGS（栅极-源极电压）**：20V（±V）
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：85mΩ @ VGS=4.5V；73mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：18A
- **技术**：沟道

### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**：13N05L-VB适用于中功率电源模块，如电源适配器和开关电源，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电动工具**：在电动工具中，这种器件可用于电机控制电路，实现电动工具的高效运行和长时间工作。
3. **LED照明**：适用于LED照明驱动电路，如LED灯带和灯具，提供可靠的LED驱动和亮度控制。
4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，该器件可用于电池管理和车辆控制，具有高效、稳定的性能，适应汽车环境的需求。
5. **电池充放电保护**：在便携式电子设备和电池系统中，这种器件可用于电池充放电保护电路，确保电池安全充放电。

以上仅为一些常见应用领域和模块，实际应用中还可能有其他领域和模块。