RSS095N05-TB-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

最新推荐文章于 2024-07-23 11:00:06 发布
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分类专栏： mosfet应用与解析 文章标签： VBsemi MOS管 MOSFET
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版权

型号: RSS095N05-TB-VB

丝印: VBA1410

品牌: VBsemi

参数:
- N-Channel沟道
- 额定电压: 40V
- 最大电流: 10A
- 漏极-源极电阻 (RDS(ON)): 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 1.6V

封装: SOP8

应用简介:
RSS095N05-TB-VB是一款N沟道场效应管，具有40V的额定电压和10A的最大电流。其低漏极-源极电阻 (RDS(ON))以及相对较低的阈值电压使其在各种应用中表现出色。

适用领域和模块:
1. **电源模块:** 由于其较低的漏极-源极电阻，适用于电源模块，能够提供高效的电能转换。

2. **电机驱动:** 在需要高电流和低电阻的电机驱动领域，RSS095N05-TB-VB能够提供可靠的性能。

3. **电源逆变器:** 适用于需要在不同电压条件下工作的应用，具有可靠的电流承载能力。

4. **汽车电子:** 由于其较高的额定电压和耐高温特性，适合汽车电子模块中的功率管理和控制电路。

5. **LED照明:** 在需要高效率和可靠性的LED照明系统中，可作为驱动电路的一部分。

以上应用领域仅为举例，RSS095N05-TB-VB的特性使其在各种需要高性能N沟道场效应管的电子系统中都能发挥重要作用。

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RSS095N05-TB-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05-29
RSS095N05-TB-VB是一款采用SOP8封装形式的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有以下特点： - **无卤素**：符合IEC 61249-2-21标准定义的无卤素要求。 - **TrenchFET®技术**：利用先进...
RSS085N05-TB-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05-29
### RSS085N05-TB-VB：N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 RSS085N05-TB-VB是一款高性能、环保型的N-Channel沟道MOSFET晶体管，采用标准SOP8封装形式。该产品符合IEC 61249-2-21定义下的...
RSS085N05TB-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
05-29 160
1. **电源供应模块：** 由于其高效能和低导通电阻，适用于电源模块，提供可靠的电源输出。3. **LED照明系统：** 适用于LED照明驱动模块，提供高效能的功率管理。- 导通电阻：RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V, VGS=20V。2. **电机驱动：** 在电机控制中，可以用于实现高效的功率控制。- **丝印：** VBA1410。- 阈值电压：Vth=1.6V。- **品牌：** VBsemi。- **封装：** SOP8。**适用领域和模块示例:****详细参数说明:**
RSS070N05TB1-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
05-29 200
4. **LED驱动模块：** 由于其低RDS(ON)和高电压额定值，可有效管理和控制LED照明系统。1. **电源管理模块：** 由于其较高的电流承受能力和低RDS(ON)，非常适用于电源管理电路。3. **电机控制单元：** 该MOSFET的特性使其非常适用于各种设备中的电机控制。2. **电压调节系统：** 适用于需要精密电压调节的应用，确保系统稳定性和效率。**注意：** 为了获得最佳性能，请确保兼容性并遵循数据手册中的推荐工作条件。- 阈值电压（Vth）：1.6V。- 电压额定值：40V。
RSS085N05-TB-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
05-29 258
在VGS分别为10V和20V时，导通电阻为14mΩ。1. **电源模块：** 在电源系统中，该MOSFET可用于开关电源、直流-直流转换器等模块。2. **电机驱动：** 由于其高电流和低导通电阻，适用于电机驱动模块，提高效率和性能。3. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，可用于电动汽车电池管理、充电模块等。4. **LED照明：** 用于LED照明驱动电路，确保高效能和稳定性。**丝印：** VBA1410。**品牌：** VBsemi。**封装：** SOP8。**详细参数说明：**
RTR020N05TL-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
05-29 260
*注意:** 在实际应用中，请查看详细的规格书，以确保器件符合您的电路设计要求。- 由于其N—Channel沟道和较低开态电阻，可用于电机驱动。- 具有较低的开态电阻，适用于对效率和功率密度要求较高的设计。- 适用于构建高效的开关电源、DC-DC变换器。- 在功率放大电路中，可用于提供高效能耗的放大。- 用于电源适配器输出端，提供高效的电源。1. **电源适配器模块:**4. **功率放大器模块:**2. **开关电源模块:**3. **电机驱动模块:**- **详细参数说明:**- 最大电流: 4A。
RTR030N05TL-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
05-29 168
由于其低漏极-源极电阻和高电流承受能力，它可以在要求较高功率和效率的电路中得到应用。- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：30mΩ（在VGS=10V, VGS=20V时）1. **功率放大器模块：** 由于其高电流承受能力，可用于音频功率放大器模块。3. **驱动电路：** 可用于各种需要 N—Channel 沟道的驱动电路。2. **开关电源模块：** 适用于开关电源模块，提供稳定的电源输出。- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V。- 额定电压（VDS）：30V。**典型应用领域和模块：**
RTR025N05TL-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
05-29 191
*注意:** 在集成电路设计中，确保根据厂商提供的数据手册和规格说明正确使用该器件。- **阈值电压(Vth):** 1.2~2.2V。- **类型:** N-Channel 沟道。- **最大电压(VDS):** 30V。- **最大电流(ID):** 6.5A。- **导通电阻(RDS(ON)):**- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT23。1. **电源管理模块:**3. **LED照明:****领域和模块应用:**2. **驱动模块:**4. **汽车电子:**
RUC002N05T116-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
05-29 140
*注意:** 在实际应用中，请查看详细的规格书，以确保器件符合您的电路设计要求。- 由于其N—Channel沟道和较低开态电阻，可用于电机驱动。- 具有较低的开态电阻，适用于对效率和功率密度要求较高的设计。- 适用于构建高效的开关电源、DC-DC变换器。- 在功率放大电路中，可用于提供高效能耗的放大。- 用于电源适配器输出端，提供高效的电源。1. **电源适配器模块:**4. **功率放大器模块:**2. **开关电源模块:**3. **电机驱动模块:**- **详细参数说明:**- 最大电流: 4A。
RSH070N05TB-VB一款SOP8封装N—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOS的博客
05-28 225
2. **电机驱动:** 在需要高效能耗的电机控制系统中，该器件可以作为电机驱动器的一部分，确保高效能的能量传递。1. **电源模块:** 由于其较低的导通电阻和高额定电流，适用于电源模块，提供可靠的功率开关。3. **LED照明:** 适用于LED驱动电路，帮助实现高效率的能源转换，提高照明系统的性能。- **导通电阻:** 14mΩ@VGS=10V,VGS=20V。- **阈值电压:** 1.6V。- **额定电压:** 40V。- **额定电流:** 10A。- **封装:** SOP8。
13N05L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
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07-23 231
VBsemi的13N05L-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），以及在VGS=4.5V时为85mΩ，在VGS=10V时为73mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，该器件可用于电池管理和车辆控制，具有高效、稳定的性能，适应汽车环境的需求。- **VGS（栅极-源极电压）**：20V（±V）- **VDS（漏极-源极电压）**：60V。
RSS085N05TB-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05-29
RSS085N05TB-VB是一款N沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装形式，适用于多种电源管理与转换的应用。该器件具有较高等级的电压和电流容量，支持高达40V的漏极-源极电压（VDS）和10A的...
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05-29
### RSS070N05TB1-VB：N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 RSS070N05TB1-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOP8封装形式。它主要应用于同步整流、...
RTR020N05TL-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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### RTR020N05TL-VB N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 RTR020N05TL-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET晶体管，该晶体管的主要特点是其60V的最大漏源电压、4A的最大连续电流...
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09-16
《基于改进粒子群算法的混合储能系统容量优化》完全复现 matlab。 以全生命周期费用最低为目标函数，负荷缺电率作为风光互补发电系统的运行指标，得到蓄电池储能和超级电容个数，缺电率和系统最小费用。 粒子群算法：权重改进、对称加速因子、不对称加速因子三种情况的优化结果和迭代曲线。 另包含2020年最新提出的阿基米德优化算法AOA和麻雀搜索算法SSA对该lunwen的实现。 （该算法收敛速度快，不存在pso的早熟收敛）
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游戏售卖网站，在系统首页可以查看地下城勇士、英雄联盟、游戏账号、新闻资讯等内容 项目关键技术 开发工具：IDEA 、Eclipse 编程语言: Java 数据库: MySQL5.7+ 后端技术：ssm 前端技术：jsp 关键技术：jsp、spring、ssm、MYSQL、MAVEN 数据库工具：Navicat、SQLyog
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