### 产品简介:
14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET,具有550V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,±V)、3V的阈值电压(Vth)、260mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及18A的漏极电流(ID)。采用平面技术(Plannar)制造。
### 参数说明:
- **Package(封装):** TO220F
- **Configuration(配置):** 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 550V
- **VGS(栅极-源极电压):** 30V(±V)
- **阈值电压(Vth):** 3V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 260mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 18A
- **Technology(技术):** 平面(Plannar)
### 应用领域和模块示例:
1. **电源模块:** 14NM50N-VB适用于各种电源模块中的开关管,用于稳定可靠的电源开关和控制。
2. **电动汽车控制:** 适用于电动汽车中的驱动器件,用于控制电动汽车的电机,提供高效的电动汽车控制。
3. **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中,可以用作功率开关器件,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
4. **UPS(不间断电源):** 可以用于UPS中的开关管,提供稳定的电力转换和控制功能。
5. **工业控制系统:** 在工业控制系统中,可以用于各种电机驱动和开关控制,提供高效的工业控制方案。
以上示例说明了14NM50N-VB在各种领域和模块中的广泛应用,展示了其高性能和多功能性。