### 产品简介
VBsemi的14NM65N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有700V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为350mΩ,具有15A的漏极电流(ID)和3.5V的阈值电压(Vth)。
### 参数说明
- **型号**: 14NM65N-VB
- **封装**: TO220
- **结构**: 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**: 700V
- **VGS(栅极-源极电压)**: 30V(±)
- **Vth(阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻)**:
- VGS=10V时:350mΩ
- **ID(漏极电流)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电源逆变器**: 由于14NM65N-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流容量,适用于一些逆变器中的功率开关和控制电路。
2. **电动车电机驱动**: 在电动车的电机驱动系统中,MOSFET通常用于控制电机的启停和速度调节。14NM65N-VB可用于电动车的电机驱动器中,提供高效率的功率控制。
3. **工业控制**: 在工业控制领域,MOSFET通常用于各种控制电路和功率开关。14NM65N-VB可用于工业控制系统中的功率开关和控制电路。
4. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中,MOSFET通常用于控制电路和功率开关。14NM65N-VB可用于太阳能逆变器中的功率开关和控制电路,提供高效率的能量转换。
### 产品简介
VBsemi的14NM65N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有700V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为350mΩ,具有15A的漏极电流(ID)和3.5V的阈值电压(Vth)。
### 参数说明
- **型号**: 14NM65N-VB
- **封装**: TO220
- **结构**: 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**: 700V
- **VGS(栅极-源极电压)**: 30V(±)
- **Vth(阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻)**:
- VGS=10V时:350mΩ
- **ID(漏极电流)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电源逆变器**: 由于14NM65N-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流容量,适用于一些逆变器中的功率开关和控制电路。
2. **电动车电机驱动**: 在电动车的电机驱动系统中,MOSFET通常用于控制电机的启停和速度调节。14NM65N-VB可用于电动车的电机驱动器中,提供高效率的功率控制。
3. **工业控制**: 在工业控制领域,MOSFET通常用于各种控制电路和功率开关。14NM65N-VB可用于工业控制系统中的功率开关和控制电路。
4. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中,MOSFET通常用于控制电路和功率开关。14NM65N-VB可用于太阳能逆变器中的功率开关和控制电路,提供高效率的能量转换。
以上领域和模块仅为示例,实际应用取决于具体设计要求和环境。