14NM65N-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

### 14NM65N-VB TO247 产品简介

14NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO247 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS)，阈值电压 (Vth) 为 3.5V。在栅源电压为 10V 时，其导通电阻 (RDS(ON)) 为 430mΩ。这款 MOSFET 采用 Plannar 技术制造，适用于一些需要高电压和高功率处理能力的应用场合。

### 详细参数说明

| 参数 | 规格 |
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| 产品型号 | 14NM65N-VB |
| 封装 | TO247 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 650V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 430mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 18A |
| 技术 | Plannar |

### 应用领域和模块示例

14NM65N-VB 这款 MOSFET 可适用于一些需要高电压和高功率处理能力的应用场合，例如：

1. **电源逆变器**
   - 可用作电源逆变器中的关键开关元件，提供高压电源的能量转换和稳定性。

2. **工业高压电源**
   - 适用于一些工业高压电源中的关键开关元件，提供稳定的高压能量转换。

3. **电动汽车充电系统**
   - 可用作电动汽车充电系统中的关键开关元件，确保充电系统的高压安全和稳定性。

4. **医疗设备**
   - 适用于一些医疗设备中的高压开关电路，提供高效的电源控制和稳定性。

通过以上示例，可以看出 14NM65N-VB MOSFET 在一些高电压和高功率处理能力的应用场合具备较好的性能和稳定性，是许多高压高功率电子系统中的重要组成部分。